今天有兩個(gè)問題。

1、MOS管傳導(dǎo)電流能逆流嗎？從D到S，從S到D方向自由？

2、MOS管二極管能有太多電流嗎？

為什么會(huì)有這兩個(gè)問題？

我們一開始學(xué)習(xí)MOS管的時(shí)候，應(yīng)該都是從NMOS開始的。電流的方向都是從D到S。(阿爾伯特愛因斯坦)(美國)。

在實(shí)際應(yīng)用電路中，NMOS可能有S到D的電流。例如，有以下NMOS管斷電電路(只是示意圖，實(shí)際電路需要進(jìn)一步考慮一些因素)。

原理我先大致說一下。

1、電源正常接入時(shí)

當(dāng)電源陽極VCC通過后負(fù)載電路連接到本體二極管時(shí)，本體二極管將通電，因此S極電壓約為0.7V(本體二極管傳導(dǎo)電壓)。

同時(shí)，柵極G極為VCC，因此Vgs=Vcc-0.7VVgsth，NMOS管道相通。通過NMOS管道后，如果傳導(dǎo)壓降默認(rèn)為0，則Vgs=Vcc，MOS管道保持通過狀態(tài)。

這樣整個(gè)電源路徑就通了，電源為后級(jí)負(fù)載供電，后級(jí)電路正常工作。

這里需要特別注意的是，此時(shí)MOS管的電流從S到D，與平時(shí)我們經(jīng)常看到的D到S相反。

2、電源連接相反時(shí)(反轉(zhuǎn)電源和接地)

GGS連接電源陰極，即0V、S極，通過負(fù)載接收電源陰極，即0V，因此Vgs=0V、MOS管也不通。

同時(shí)，D非常Vcc，S非常0V，體二極管反向偏置，不能通電，不能通過NMOS管道通過電流。(阿爾伯特愛因斯坦)(美國)。

對(duì)于負(fù)載，電源已關(guān)閉。

逆轉(zhuǎn)的電源不會(huì)上升到后面的負(fù)載之上，所以不會(huì)燃燒后級(jí)電路。只要我們把前面的電源和陰極對(duì)接，后級(jí)電路就能再次正常工作，從而實(shí)現(xiàn)防反折功能。(大衛(wèi)亞設(shè)，Northern Exposure)。

有必要說一件事。這里的反接不意味著電源反向連接，后期電路也能工作。(大衛(wèi)亞設(shè)，Northern Exposure(美國電視新聞))但是電源連接反了。后面的電路不冒煙。

我以前第一次看到這個(gè)電路的時(shí)候，其實(shí)心里打鼓

這個(gè)MOS管通的時(shí)候電流能倒流嗎？從D到S，從S到D沒關(guān)系嗎？

除了這個(gè)電流的方向問題，還有MOS管的體二極管問題，這個(gè)二極管會(huì)有太多電流嗎？

不理解的話，會(huì)認(rèn)為這個(gè)二極管能通過的電流很小。因?yàn)橛小凹纳O管”的名字，所以很容易受騙。

寄生一詞很容易讓人聯(lián)想到寄生電感、寄生電容等，這兩種東西一般都很小，所以這種寄生二極管也很弱，很容易讓人誤以為過不了比較大的電流。

解決問題

這兩個(gè)問題實(shí)際上可以用一個(gè)電路解決。就是下面的巴克電路。

你知道這是巴克電路。下管是NMOS管道。

也就是說，下管NMOS的電流方向是從S到D的，也就是反著流，并且這個(gè)電流可以是很大的，因?yàn)殡姼械碾娏魇强梢员容^大的，跟負(fù)載有關(guān)。

除此之外，從之前的文章《BUCK的振鈴實(shí)驗(yàn)與分析》里面我們也知道，BUCK在開關(guān)切換的時(shí)候，會(huì)存在死區(qū)時(shí)間（上管和下管都不導(dǎo)通的時(shí)候）。而電感的電流是不能斷的，死區(qū)時(shí)間電感的電流就是走的下管的體二極管。

又因?yàn)殡姼械碾娏魅Q于負(fù)載電流，是可以到幾安培的，所以說下管的體二極管的電流也是可以很大的。

那MOS管的體二極管電流最大能到多少呢？選型的時(shí)候需要考慮嗎？

很多MOS管是不標(biāo)注這個(gè)參數(shù)的，但是也有一些廠家標(biāo)注了，比如這個(gè)NMOS管SI9804

從上面手冊(cè)看到，可以通過的持續(xù)電流是2.1A。

這個(gè)是怎么來的呢？

這個(gè)我覺得可能是根據(jù)功耗限制來的。

如果通過的電流時(shí)間很短，那么可以通過更大一點(diǎn)的電流，如果時(shí)間比較長，那么流過的電流就不能太大。

從上圖可以看到，環(huán)境溫度25℃的最大功耗是2.5W。這么看的話，前面說的持續(xù)電流是2.1A，應(yīng)該也是根據(jù)功耗限制來的。

根據(jù)常規(guī)硅二極管，通過2.1A電流時(shí)，導(dǎo)通壓降大概是1V左右，那么功耗就是P=2.1A*1V=2.1W，跟2.5W也差不太多。

當(dāng)然，以上只是我的猜測而已，并沒有找到什么比較官方的說法。

一個(gè)更詳細(xì)的手冊(cè)

寫到這里，我又找到一個(gè)更為詳細(xì)的MOS管手冊(cè)，英飛凌的NMOS管BSC059N04LS6，里面有詳細(xì)介紹體二極管的過流能力，包括持續(xù)和瞬間的電流。

這個(gè)手冊(cè)讓我確信了上面的猜測。

下面是BSC059N04LS6手冊(cè)里面的體二極管的參數(shù)

從上表直接可以看到，體二極管的持續(xù)電流是可以到38A，脈沖電流是可以到236A的，同時(shí)，也可以看到，二極管最大導(dǎo)通電壓是1V。

可能會(huì)有些詫異，這個(gè)二極管持續(xù)電流能到38A這么大？

實(shí)際應(yīng)用自然是到不了，我們需要注意上面是有個(gè)條件，那就是Tc=25℃的，c是case，也就是外殼保持25℃情況下的。

我們實(shí)際應(yīng)用中，如果不加特別的散熱措施，肯定是沒法保證這個(gè)MOS外殼是這個(gè)溫度，自然也就不能持續(xù)通過38A的電流。

不過這也無關(guān)緊要，我們僅僅是看這個(gè)參數(shù)的意義，想知道它是怎么來的。

我們?cè)倏纯词謨?cè)里面的功耗限制

可以看到，在Tc=25℃時(shí)，功耗限制是38W，前面知道導(dǎo)通電壓是1V，電流限制是38A，正好功耗限制等于電壓乘以電流，這也太巧了。

所以，體二極管能通過的電流就是根據(jù)功耗限制來的沒跑了。

同時(shí)，我們看到，在Ta=25℃，功耗限制是3W，這個(gè)Ta就是環(huán)境溫度了，這個(gè)與實(shí)際使用情況應(yīng)該是更為接近的（不使用特別散熱措施）。

如果用這個(gè)值計(jì)算，那么體二極管能持續(xù)通過的電流也就是3W/1V=3A左右，當(dāng)然，這個(gè)是我的推測，手冊(cè)里面沒寫。

到這里，至少我們應(yīng)該知道了，體二極管還是能過比較大的電流的。

當(dāng)然，還有一個(gè)問題，上面說的是持續(xù)的電流，必然還有瞬間電流的問題，瞬間電流能過多大呢？

這個(gè)問題反而更為重要一點(diǎn)，因?yàn)檎Ｊ褂弥?，我們不?huì)給MOS管的體二極管通過持續(xù)時(shí)間比較長的電流。如果有這個(gè)需要，我們直接讓MOS管導(dǎo)通不就好了嗎，功耗還能更低。

前面舉例的BUCK中，體二極管也只是在死區(qū)時(shí)間才會(huì)有電流通過，這個(gè)時(shí)間是相當(dāng)短暫的。

所以這個(gè)瞬間能過多大的電流反而更值得看一看。

我們還是看BSC059N04LS6的手冊(cè)，因?yàn)樗贾苯訕?biāo)出來了。

這個(gè)管子導(dǎo)通電流可以到59A，在10us時(shí)間內(nèi)能通過的電流是236A，而體二極管也是236A，二者是相同的，而且都很大，也就是說體二極管的瞬間電流根本就不會(huì)成為使用的瓶頸。

也許這就是為什么我們很少去關(guān)注MOS管的體二極管的電流，只看MOS管導(dǎo)通電流夠不夠大。

以上內(nèi)容小結(jié)一下：

1、MOS導(dǎo)通后電流方向其實(shí)可以雙向流動(dòng)，可以從d到s，也可以從s到d。

2、MOS管體二極管的持續(xù)電流可以根據(jù)MOS管的功耗限制來計(jì)算，

3、MOS管體二極管瞬間可以通過的電流，等于NMOS管導(dǎo)通后瞬間可以通過的電流，一般不會(huì)是瓶頸

本來寫到這里，文章也已經(jīng)可以結(jié)束了，不過我還是想著能不能從MOS管的原理上看出上面的內(nèi)容。

以下是我的一些理解，供參考。

NMOS管的結(jié)構(gòu)

我們看一下NMOS管的結(jié)構(gòu)。

以NMOS為例，如上圖，S和D都是摻雜濃度比較高的N型半導(dǎo)體，襯底為P型半導(dǎo)體，并且襯底和S極是接到一起的。

在Vgs電壓大于門限電壓Vth時(shí)，也就是柵極相對(duì)襯底帶正電，它會(huì)將P型襯底中的少子（電子）吸引到P型襯底上面，形成反型層，也就是導(dǎo)電溝道。

這時(shí)，我們會(huì)看到，S和D本身是N型半導(dǎo)體，有很多自由電子，S和D之間也有很多電子，也可以導(dǎo)電。

也就是說，S和D之間，是連通的，到處都有自由電子，可以移動(dòng)。

因此，我們給S和D之間加上電壓，就會(huì)形成電流，而且是不管電壓的方向如何，只要有電壓，就能形成電流，二者沒有什么差別。

也就說，電流可以雙向流動(dòng)，可以從D到S，也可以從S到D。

我們接著看體二極管的過流能力

P和N型半導(dǎo)體放到一起，總會(huì)形成PN結(jié)，也就是二極管。S和D之間體二極管實(shí)際是漏極D與襯底形成的，因?yàn)镾和襯底是接到一起的，那么也就是D和S之間有個(gè)體二極管了。

MOS管導(dǎo)通，原理就是因?yàn)闁艠O吸引了P型襯底里面的少子（電子），形成了導(dǎo)電溝道，這個(gè)溝道想想也應(yīng)該比較窄，但是它已經(jīng)能夠支撐起Id的電流了（MOS管導(dǎo)通時(shí)電流，每個(gè)NMOS都有這個(gè)參數(shù)）。

那么作為體積大，面積也大的襯底，它與漏極形成的PN結(jié)，自然流過的電流達(dá)到Id沒啥問題（不考慮溫度的話）。

不過因?yàn)樾纬傻臏系雷柚岛艿?，不怎么發(fā)熱，而PN結(jié)總有個(gè)導(dǎo)通壓降，流過電流會(huì)發(fā)熱，這是個(gè)大劣勢，所以體二極管受制于這個(gè)發(fā)熱的問題。

所以最終的結(jié)果就是，我們會(huì)看到體二極管流過的持續(xù)電流受制于MOS管的功耗。

以上關(guān)于原理的說法，看著是自洽的，純屬個(gè)人看法，如有問題，歡迎在留言區(qū)指正。

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