目前，在計(jì)算機(jī)主板和各種嵌入式應(yīng)用程序中，內(nèi)存是必不可少的。常用的內(nèi)存有兩種。一種是非易失性，即不會(huì)因停電而丟失數(shù)據(jù)，也稱為閃存或僅閃存(ROM)，執(zhí)行速度慢，主要用于存儲(chǔ)程序代碼和永久數(shù)據(jù)信息等。另一種是因停電而丟失數(shù)據(jù)的非易失性，有時(shí)稱為隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(RAM)，執(zhí)行速度快，主要用于程序運(yùn)行時(shí)程序或數(shù)據(jù)緩存等。通常，計(jì)算機(jī)或手機(jī)內(nèi)存的大小表示配置的RAM容量。

事實(shí)上，從我們的手機(jī)或電腦下載的APP軟件存儲(chǔ)在非易失性內(nèi)存中。不管是通電還是關(guān)機(jī)，程序都保存在非易失性存儲(chǔ)器中。打開游戲(王者榮耀APP)、看電影(騰訊APP)等應(yīng)用軟件后，相應(yīng)的軟件程序?qū)?

NAND閃存

NOR Flash

DDR3粒子

今天我簡(jiǎn)單介紹一下DDR3內(nèi)部是存儲(chǔ)陣列。可以“填充”數(shù)據(jù)，想象成一張桌子。與表的搜索原理一樣，指定“行”(ROW)和“列”(Column)可以準(zhǔn)確地找到所需的單元格。這就是內(nèi)存芯片。對(duì)于內(nèi)存，此單元稱為存儲(chǔ)單元，此表(存儲(chǔ)陣列)是邏輯銀行

b表示Bank地址號(hào)C表示列地址號(hào)R，如果尋址命令為B1 R2 C3，則可以確認(rèn)地址是圖中紅色網(wǎng)格的位置。目前，DDR3內(nèi)存芯片基本上是8排設(shè)計(jì)。也就是說，總共有8張票。尋址過程是首先指定銀行地址、行地址、列地址、最終尋址單元。

內(nèi)存容量計(jì)算方法、單個(gè)DDR3、14個(gè)行(Row)地址線重復(fù)使用、10個(gè)列(Column)地址線重復(fù)使用、8個(gè)銀行數(shù)、I/O緩沖區(qū)通過8組數(shù)字線(DQ0-DQ7)。

制作1GB容量的記憶棒需要8個(gè)DDR3內(nèi)存芯片。每個(gè)芯片包含8條數(shù)字線路(DQ0-DQ7)?？倢挾葹?4bit，因此使用Rank。

如果使用128MB DDR3芯片創(chuàng)建2GB記憶棒，結(jié)果可能會(huì)有所不同。我們建議使用4條數(shù)字線路(DQ0-DQ3)。數(shù)量是16個(gè)，還使用排名。要?jiǎng)?chuàng)建8GB容量的內(nèi)存，請(qǐng)使用64個(gè)128米的DDR3創(chuàng)建4個(gè)位寬高達(dá)64 x4=256位的Rank。

內(nèi)存條