肖特基二極管是一種金屬半導(dǎo)體器件，由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)制成。)A為正極，N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，兩者界面上形成的勢壘具有整流特性。因為N型半導(dǎo)體中電子多，貴金屬中自由電子少，所以電子從高濃度的B擴散到低濃度的A。很明顯，金屬A中沒有空空穴，所以A到B不存在空空穴的擴散運動，隨著電子從B到A的不斷擴散，B表面的電子濃度逐漸降低，表面的電中性被破壞，于是形成勢壘，其電場方向為B → A..但是在這個電場的作用下，A中的電子也會從A漂移到B，從而減弱擴散運動形成的電場。當(dāng)一定寬度的空之間的電荷區(qū)建立后，電場引起的電子漂移運動和不同濃度引起的電子擴散運動達(dá)到相對平衡，從而形成肖特基勢壘。
肖特基二極管肖特基整流器典型的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是基于N型半導(dǎo)體，在其上形成以砷為摻雜劑的N型外延層。陽極由鉬或鋁制成。二氧化硅(二氧化硅)用于消除邊緣區(qū)域的電場，提高管道的耐壓性。n型襯底的導(dǎo)通電阻非常小，其摻雜濃度比H層高100%。在襯底下形成N+陰極層，可以降低陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，在N型襯底和陽極金屬之間形成肖特基勢壘，如圖所示。當(dāng)肖特基勢壘兩端施加正向偏置電壓(陽極金屬接電源正極，N型襯底接電源負(fù)極)時，肖特基勢壘層變窄，內(nèi)阻減小。相反，如果反向偏壓施加到肖特基勢壘的兩端，肖特基勢壘層變寬，其內(nèi)阻變大
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