一、IGBT識(shí)別

1.IGBT的組成和特點(diǎn)

絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)由場效應(yīng)管和大功率雙極晶體管(IGBT)組成，IGBT集場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)與大功率雙極三極管的大電流低傳導(dǎo)電阻特性相集成，是一種優(yōu)秀的高速高壓半導(dǎo)體電源設(shè)備。它具有以下特點(diǎn)：一是電流密度高，是場效應(yīng)管的幾十倍。二是輸入阻抗高，柵極驅(qū)動(dòng)功率小，驅(qū)動(dòng)電路簡單。第三，來自指定芯片尺寸和U(BR)ceo的電阻Rce(on)不超過場效應(yīng)RDS(on)的10%的低傳導(dǎo)電阻。第四，剎車片電壓高，安全工作空間大，暫態(tài)功率高時(shí)不容易損壞。五、開關(guān)速度快、關(guān)閉時(shí)間短、內(nèi)壓為1 ~ 1.8KV的IGBT的關(guān)閉時(shí)間約為1.2s，內(nèi)壓為600V的IGBT的關(guān)閉時(shí)間約為0.2s，僅占雙極型三極管的10%，接近功率型場效應(yīng)管，開關(guān)頻率為10因此，IGBT克服了高電壓、高電流下產(chǎn)生的傳導(dǎo)電阻大、熱量大、輸出功率低的嚴(yán)重弊端。因此，IGBT被廣泛用作電磁爐內(nèi)電力逆變的開關(guān)裝置。它的實(shí)物形狀和電路符號(hào)如圖2-87所示。

IGBT的G極是柵極或控制極，就像場效應(yīng)管一樣。c極和普通三極管一樣，是集電極。e劇是發(fā)射劇。

2.IGBT的主要參數(shù)

IGBT的主要參數(shù)和大功率三極管基本相同。主要參數(shù)為U(BR)ceo、PCM、ICM和。其中，U(BR)ceo是表示IGBT的C極和E極之間的最大反向屈服電壓的最大反壓。ICM是表示IGBT的C極最大輸出電流的最大電流。PCM是最大耗散功率，表示IGBT的C極最大耗散功率。是IGBT的放大率。

二、IGBT測試

檢測帶有阻尼管的IGBT時(shí)，C、E極之間的正向傳導(dǎo)壓降和二極管相同，如下圖(A)所示。C、E極間反向傳導(dǎo)壓降和其他極間傳導(dǎo)壓降為無窮大(顯示溢出值1)，如下圖(B)所示。沒有阻尼管道的IGBT具有無限的三極正反向傳導(dǎo)壓降值。

三、IGBT的更換

在維修中，IGBT的更換原則與三極管一樣，必須堅(jiān)持“類別相同，特性相似”的原則?！邦悇e相同”意味著在交換中必須選擇相同品牌、相同型號(hào)的IGBT。這意味著N通道管道更換N通道管道，P通道管道更換P通道管道。“類似屬性”是指在交換中必須選擇的參數(shù)、形狀和針腳相同或相似的IGBT。此外，如果用帶有二極管(阻尼管)的IGBT替換不帶阻尼管的IGBT，則必須移除電路板上的阻尼管。使用不帶阻尼管的IGBT替換帶阻尼管的IGBT時(shí)，必須在C、E極銷上添加阻尼管。下面介紹了常見的IGBT參數(shù)和替換方法。

GT40T301是東芝的產(chǎn)品，內(nèi)壓為1500V，最大電流為25到80A，100到40A，由于沒有阻尼管，因此SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GTT40Q321

GT40T101是東芝的產(chǎn)品，內(nèi)壓為1500V，最大電流為25到80A，100到40A，內(nèi)部有阻尼管，可以用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、IGBT更換。

GT40Q321是東芝的產(chǎn)品，耐壓為1200V，最大電流更換為25到42A，100到23A，內(nèi)部有阻尼管，可以更換SGW25N120、SKW25N120、SGW25N120。

GT60M303是東芝的產(chǎn)品，內(nèi)壓為900V，最大電流為25到120A，100到60A，內(nèi)部有阻尼管。

SGW25N120是西門子的產(chǎn)品，內(nèi)壓為1200V，最大電流為25C至46A，100C至25A，內(nèi)部沒有阻尼管，因此在替換SKW25N120時(shí)，必須在C、E極安裝8A/1200V以上的快速恢復(fù)管。

SKW25N120是西門子的產(chǎn)品，內(nèi)壓為1200V，最大電流為25到46A，100到25A，內(nèi)部有阻尼管，因此用IGBT更換SGW25N120時(shí)，必須去除最初配套的阻尼管。