電力芯片小體積的內(nèi)部結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。最核心的微單元包括在極端溫度和惡劣環(huán)境下工作的數(shù)千個(gè)晶體管，隨著電子技術(shù)的更新?lián)Q代，半導(dǎo)體的廣泛使用也對(duì)電子元件提出了更高的要求。部分零部件在研發(fā)的時(shí)候在實(shí)驗(yàn)室被扼殺，部分在晶圓工廠死亡，在使用過(guò)程中，零部件也不正當(dāng)使用，站立，還有

死于1芯片設(shè)計(jì)

芯片的設(shè)計(jì)和制造經(jīng)歷了一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程。大致分為三個(gè)階段：前端設(shè)計(jì)(邏輯代碼設(shè)計(jì))、后端設(shè)計(jì)(布線過(guò)程)、滑道生產(chǎn)(核心制作、測(cè)試和封裝)、高性能芯片在數(shù)百平方毫米硅芯片上蝕刻數(shù)十億晶體管。晶體管之間的間隔只有幾十納米。

因制造2芯片而死亡

近年來(lái)，隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片工藝水平也逐漸提高，小的工藝流程可以在相同大小的硅芯片上容納更多的芯片，從而提高芯片的運(yùn)算效率。可以降低芯片功耗。但是半導(dǎo)體器件制造只包括幾納米左右的結(jié)構(gòu)測(cè)量，芯片尺寸縮小也有物理限制。摩爾定律正在逐漸失效。-粒子塵可以破壞晶片上的幾個(gè)裸體碎片。如果裸片的大小變大，隨機(jī)失敗的可能性就會(huì)增加。(威廉莎士比亞，Northern Exposure(美國(guó)電視劇)，半導(dǎo)體，半導(dǎo)體，半導(dǎo)體)

死于3芯片ESD保護(hù)

一般來(lái)說(shuō)，殺死芯片的方法有很多。芯片包括ESD保護(hù)。芯片外部施加. 5V電壓會(huì)在1nm的介質(zhì)上產(chǎn)生0.5mV/m的電場(chǎng)，因此會(huì)產(chǎn)生高壓電弧。對(duì)于包內(nèi)的單個(gè)裸片，他們的目標(biāo)是標(biāo)準(zhǔn)的，例如2kJ。如果嘗試最小化ESD，或者從這些Wide 1/O接口或所有類型的多芯片接口通道中移除，則意味著無(wú)法在單個(gè)芯片上根據(jù)相同的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)際測(cè)試每個(gè)芯片。ESD保護(hù)可能較少，也可能沒(méi)有ESD保護(hù)，因此需要進(jìn)行更專業(yè)的測(cè)試。即使在運(yùn)行過(guò)程中，ESD事件也可能導(dǎo)致問(wèn)題。

4因磁場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體的影響而死亡

隨著智能手機(jī)、平板終端的多功能性，所需的電源電壓也包含多種規(guī)格，因此用于電源電路的電感的使用數(shù)量正在增加。電磁靈敏度(EMS)是人們需要擔(dān)心的問(wèn)題，電磁干擾(EMI)是芯片向環(huán)境發(fā)出的噪音，噪聲源來(lái)自電源電路，在電源/接地和信號(hào)線上產(chǎn)生電流，電源線地線封裝在PCB中。如果看到包或PCB上有天線結(jié)構(gòu)，則會(huì)產(chǎn)生空氣輻射，通過(guò)天線結(jié)構(gòu)輻射到環(huán)境中，從而產(chǎn)生干擾。能量注入測(cè)試注入1W能量，從150kH2到1GHZ。在每一個(gè)頻率，你都會(huì)給系統(tǒng)注入1W的能量。如果沒(méi)有足夠的保護(hù)，可能會(huì)破壞沿路徑進(jìn)入芯片的電路，或者針腳的電壓太高。電壓過(guò)高會(huì)導(dǎo)致過(guò)電壓。

因5芯片操作而死亡

很多情況下，糟糕的散熱設(shè)計(jì)不會(huì)導(dǎo)致瞬間災(zāi)難性故障，甚至不會(huì)造成產(chǎn)品平庸，但零部件壽命縮短，電力企業(yè)投資很多部分，越來(lái)越多的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)使用嵌入式電源降低產(chǎn)品成本，功率越來(lái)越高，功率越高，電子零部件的發(fā)熱，芯片發(fā)熱引起的問(wèn)題不僅僅是手機(jī)在口袋里發(fā)熱。晶體管和它們之間的連接會(huì)退化。這可能會(huì)影響性能和可靠性。