動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是計(jì)算機(jī)處理器中用來實(shí)現(xiàn)最佳功能的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。隨著云計(jì)算的應(yīng)用場(chǎng)景越來越多，對(duì)DRAM的市場(chǎng)需求也在不斷擴(kuò)大。

這個(gè)市場(chǎng)從來就不是中國(guó)企業(yè)的舞臺(tái)。長(zhǎng)期以來，三星電子、SK Hynix、美光科技(MU)占據(jù)了95%的市場(chǎng)份額，被稱為“DRAM Trio”或“D3”。它們都是高墻和鐵板。

現(xiàn)在，一個(gè)小裂縫出現(xiàn)了。

5月14日，合肥長(zhǎng)信推出了自己的DRAM芯片產(chǎn)品，被國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域企業(yè)視為從0到1的突破。

DRAM芯片退潮記

中國(guó)曾試圖在DRAM領(lǐng)域取得突破。

1993年，“908工程”的主體工程無錫華晶，生產(chǎn)了國(guó)內(nèi)第一臺(tái)基于2.5um工藝技術(shù)的256 Kb DRAM。

但這并不令人滿意。自1990年“908工程”啟動(dòng)以來，此時(shí)已投入20多億元，但市場(chǎng)化前景依然模糊，一兩款產(chǎn)品的突破顯然達(dá)不到預(yù)期。

擔(dān)心很快成為現(xiàn)實(shí)，無錫華晶終于在1997年竣工投產(chǎn)。但“正在建設(shè)”的現(xiàn)實(shí)是落后的，隨之而來的金融危機(jī)使其陷入發(fā)展瓶頸。

1997年華晶投產(chǎn)時(shí)，韓國(guó)的芯片技術(shù)，尤其是DRAM技術(shù)已經(jīng)大大領(lǐng)先美國(guó)和日本，成為世界第一，推出了0.18um工藝技術(shù)的1Gb DRAM。但是華晶的技術(shù)來自日本。

1998年，無錫華晶與上海華虹簽訂合作協(xié)議，為“909工程”主體項(xiàng)目上海華虹生產(chǎn)MOS晶圓。華晶芯片生產(chǎn)線開始承接尚華公司來料加工業(yè)務(wù)，并開始實(shí)施100%貼牌生產(chǎn)的代工廠模式。

中國(guó)企業(yè)第一次主動(dòng)放棄追趕DRAM芯片的努力，也意味著相關(guān)技術(shù)開始一步步落后。尤其是DRAM芯片的兩個(gè)重要指標(biāo)，工藝技術(shù)和容量是不可能趕上的。

上海華虹努力追趕，開始引進(jìn)日本DRAM芯片公司NEC。1999年9月，華虹開始批量生產(chǎn)基于8英寸晶圓、0.35um工藝技術(shù)的64M DRAM芯片，但同一產(chǎn)品是三星在1992年批量生產(chǎn)的。

2001年，NEC未能挺過互聯(lián)網(wǎng)泡沫，宣布退出DRAM市場(chǎng)，剝離半導(dǎo)體板塊，共同成立埃爾皮達(dá)。華虹頓時(shí)陷入了兩難的境地，不僅技術(shù)落后，現(xiàn)在連技術(shù)源頭都沒了。之后華虹開始轉(zhuǎn)型，2004年開始晶圓代工廠，退出DRAM行業(yè)。

“以市場(chǎng)換技術(shù)”并沒有帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，中國(guó)的芯片企業(yè)再次嘗到了苦果。

2004年，SMIC在中國(guó)大陸投資建造了第一個(gè)12英寸晶圓廠(Fab 4)，2006年，大規(guī)模生產(chǎn)由奇夢(mèng)達(dá)股份有限公司母公司英飛凌科技提供的80納米工藝技術(shù)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，并為奇夢(mèng)達(dá)夢(mèng)達(dá)和埃爾皮達(dá)生產(chǎn)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片。到2008年，SMIC在mainland China的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器制造領(lǐng)域獲得了30%的市場(chǎng)份額，但隨著對(duì)TSMC訴訟的深入，SMIC被迫放棄其動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片業(yè)務(wù)。

中國(guó)大陸的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片從設(shè)計(jì)走向制造。

2008年的金融危機(jī)導(dǎo)致了DRAM芯片行業(yè)的巨大變化，包括夢(mèng)達(dá)的崩潰和美光對(duì)埃爾皮達(dá)的收購(gòu)。全球DRAM行業(yè)進(jìn)入三星、Sk Hynix、美光時(shí)代，被美國(guó)、韓國(guó)壟斷。

2013年以來，智能手機(jī)行業(yè)崛起，DRAM市場(chǎng)迅速擴(kuò)張。掌握了絕對(duì)定價(jià)權(quán)的美韓公司，一路掀起了DRAM價(jià)格上漲的浪潮?！皬S內(nèi)失火，倉(cāng)庫(kù)進(jìn)水，供電不足”是漲價(jià)的原因。

據(jù)2019年中國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)口統(tǒng)計(jì)，DRAM芯片進(jìn)口量高達(dá)800億美元，占芯片進(jìn)口總量的一半。

突然殺出一個(gè)合肥長(zhǎng)鑫

早在2014年6月24日，國(guó)務(wù)院發(fā)布了《促進(jìn)全國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要》，將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提升為國(guó)家戰(zhàn)略。同年9月24日，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(“大基金”)成立。

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局基本確定的情況下，國(guó)家率先發(fā)動(dòng)沖擊。

此時(shí)的DRAM市場(chǎng)結(jié)構(gòu)如下:三星占據(jù)絕對(duì)地位，市場(chǎng)份額45%，其次是海力士，29%，鎂，21%。美國(guó)和南臺(tái)灣省占據(jù)95%的DRAM市場(chǎng)，剩下的份額由南亞和的Winbond瓜分。中國(guó)從0開始。

2016年，中國(guó)倉(cāng)儲(chǔ)迎來了自建的第一年。

2月26日，金華由福建電子信息集團(tuán)和泉州、晉江政府共同出資。剛開始金華集成和UMC進(jìn)行技術(shù)合作，重點(diǎn)在DRAM領(lǐng)域；

6月13日，合肥長(zhǎng)信由合肥投資牽頭，重點(diǎn)關(guān)注DRAM方向；

7月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立，第一條NAND閃存生產(chǎn)線在武漢建成，一期投資240億美元。

面對(duì)一個(gè)數(shù)百億元的巨額投資、寡頭壟斷、市場(chǎng)容量超過一萬(wàn)億、年進(jìn)口總值超過1000億美元的行業(yè)，中國(guó)的做法不僅大膽，而且不再像以前的項(xiàng)目那樣專注于一個(gè)地方。

這種多方進(jìn)步，多點(diǎn)聯(lián)合投資的發(fā)展模式，給人們帶來了不同的思考。

合肥、泉州、武漢+紫光的“三地一企”投資模式，合肥是最不受青睞的。當(dāng)時(shí)，一些紫光公司已經(jīng)在武漢運(yùn)營(yíng)，如武漢新新、Xi國(guó)鑫，武漢已經(jīng)獲得“國(guó)家倉(cāng)儲(chǔ)基地”項(xiàng)目。

泉州和晉江共建的金華，有著與臺(tái)灣省隔著一長(zhǎng)條水的優(yōu)勢(shì)，技術(shù)來源是聯(lián)華電子，有一定的優(yōu)勢(shì)。

然而，最后，合肥又贏了一個(gè)BOE。

這個(gè)被稱為“506工程”的項(xiàng)目，在合肥悄然啟動(dòng)。直到2017年3月9日，這個(gè)項(xiàng)目，也就是后來的合肥長(zhǎng)新，被稱為“506”。

2016年10月17日，項(xiàng)目開工。

2017年3月1日發(fā)布了《安徽省關(guān)于印發(fā)2017年省級(jí)調(diào)度項(xiàng)目的通知》，合肥長(zhǎng)信項(xiàng)目也在其中。該項(xiàng)目被稱為“戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)”，是一個(gè)12英寸晶圓基地，總投資534億元，2017年預(yù)計(jì)投資35億元，計(jì)劃在當(dāng)年完成投產(chǎn)工作。

很快，合肥長(zhǎng)新的研發(fā)進(jìn)入快車道。當(dāng)大家都以為合肥長(zhǎng)信會(huì)在趙一創(chuàng)新提供的技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)DRAM芯片的時(shí)候，美國(guó)禁令給大家潑了冷水。

合肥長(zhǎng)新不得不調(diào)整R&D方向。從公開信息來看，禁令來臨時(shí)，合肥長(zhǎng)信的32層DRAM芯片已經(jīng)開發(fā)出來，而64層DRAM芯片逐漸突破了原有的技術(shù)難點(diǎn)。此后，合肥長(zhǎng)信調(diào)整了R&D方向，直接進(jìn)入64層DRAM芯片的R&D，對(duì)原有架構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行了一定程度的調(diào)整，避免了可能出現(xiàn)的專利風(fēng)險(xiǎn)。

工藝技術(shù)方面，同時(shí)在進(jìn)行兩個(gè)10nm方案，分別是1 nm的19nm和1y nm的17nm，屬于兩個(gè)不同的團(tuán)隊(duì)同時(shí)進(jìn)行，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于三星等巨頭，但距離不大。

2018年1月，合肥長(zhǎng)信建成了國(guó)內(nèi)最大的單個(gè)12英寸DRAM芯片晶圓生產(chǎn)線。7月16日，合肥長(zhǎng)新召開“電影控制與電影放映總結(jié)會(huì)”，宣布正式生產(chǎn)電電影。合肥長(zhǎng)新是中國(guó)三大記憶工程中第一個(gè)宣布電影放映完成的。

會(huì)上，朱一鳴接任72歲的趙一創(chuàng)新創(chuàng)始人王寧國(guó)的首席執(zhí)行官一職。這一舉動(dòng)被認(rèn)為是合肥長(zhǎng)新利用朱一鳴的影響力進(jìn)行國(guó)際采購(gòu)與合作的最重要的一步。

10月22日，朱一鳴訪問歐洲，首先希望從ASML購(gòu)買EUV光刻機(jī)。然后我去了比利時(shí)的魯汶，參觀了IMEC(大學(xué)間微電子中心)。

9月21日，2019年世界制造業(yè)大會(huì)建設(shè)制造業(yè)強(qiáng)國(guó)專家論壇在合肥舉行。合肥長(zhǎng)信宣布，總投資1500億元的合肥長(zhǎng)信DRAM芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn)，將生產(chǎn)出國(guó)內(nèi)第一代基于10nm (19nm)工藝技術(shù)的8Gb DDR4存儲(chǔ)器。

朱一鳴表示，“投入生產(chǎn)的8Gb DDR4已經(jīng)通過了國(guó)內(nèi)外眾多大客戶的驗(yàn)證，并于今年年底正式交付。另一款用于移動(dòng)終端的低功耗產(chǎn)品即將投產(chǎn)?！?/p>

今年5月14日，JD.COM下架了首款純國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存(采用國(guó)產(chǎn)長(zhǎng)信顆粒)——廣為一系列Pro，這是合肥長(zhǎng)信的首款消費(fèi)級(jí)DRAM芯片產(chǎn)品。

從2016年5月項(xiàng)目成立到2020年5月14日消費(fèi)類產(chǎn)品上市，合肥長(zhǎng)信在元器件、口罩、設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試等領(lǐng)域積累了大量的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)。

截至5月19日，已公開查詢合肥長(zhǎng)新的發(fā)明專利和授權(quán)發(fā)明專利850余項(xiàng)，獲得轉(zhuǎn)讓專利50余項(xiàng)。在一項(xiàng)“未公布發(fā)明人”的轉(zhuǎn)讓專利中，我們看到了一項(xiàng)名為“隔離溝槽的填充方法和設(shè)備以及隔離溝槽的填充結(jié)構(gòu)”的專利，這是目前合肥長(zhǎng)信動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的主要技術(shù)之一。

除了自主研發(fā)，合肥長(zhǎng)信的另一個(gè)關(guān)鍵詞是“齊”，這是歐洲之行的又一成果。

技術(shù)是護(hù)城河，資金是助推劑

2006年5月1日，由英飛凌半導(dǎo)體事業(yè)部拆分的新內(nèi)存公司齊成立，迅速成為全球第二大DRAM公司，300mm行業(yè)領(lǐng)袖，市場(chǎng)最大的個(gè)人電腦和服務(wù)器DRAM產(chǎn)品供應(yīng)商之一。

由于2008年次貸危機(jī)的影響，齊于2009年1月23日向法院申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，齊于4月1日正式進(jìn)入破產(chǎn)清算程序。此時(shí)其市場(chǎng)份額仍高達(dá)10%，位列當(dāng)時(shí)全球第五大DRAM芯片供應(yīng)商。

齊夢(mèng)達(dá)是DRAM芯片技術(shù)的另一個(gè)流派。

2006年9月18日，齊與南亞科技合作，宣布推出基于75納米工藝技術(shù)的新型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片溝槽字線技術(shù)，這與三星、海力士和鎂掌握的堆疊字線技術(shù)完全不同。

開槽意味著向下挖掘內(nèi)存以獲得更大的存儲(chǔ)空間空，堆疊意味著向上堆疊內(nèi)存以獲得更大的存儲(chǔ)空間空。

溝槽型遇到的技術(shù)瓶頸會(huì)比堆疊型快。顯然，達(dá)也發(fā)現(xiàn)了這種情況，然后開始了新技術(shù)的研發(fā)。

2008年2月2日，在IEDM2008大會(huì)上，齊提交了題為“6F2埋字線DRAM單元40 nm及以上”的論文，正式提出了基于40nm(實(shí)際為46nm)的埋字線技術(shù)，這是基于“溝槽技術(shù)”的技術(shù)變體，其實(shí)現(xiàn)類似于堆疊技術(shù)。

再一次，這項(xiàng)技術(shù)成為了DRAM芯片發(fā)展史上的重要技術(shù)節(jié)點(diǎn)之一。池將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片技術(shù)重新定義為“嵌入式”和“堆疊式”。

4月22日，與Winbond簽署了65nm嵌入式技術(shù)DRAM芯片技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議。該協(xié)議的重要內(nèi)容是將齊最近公布的嵌入式DRAM芯片技術(shù)納入到Winbond未來的生產(chǎn)中，在以后的開發(fā)中，取代之前的58nm工藝技術(shù)。此時(shí)，基于嵌入式技術(shù)的46nm工藝技術(shù)的開發(fā)已經(jīng)完成，但危機(jī)來了。

8月12日，溫邦和齊再次簽訂協(xié)議，但這次是簽訂了《破產(chǎn)程序和解合同》。該協(xié)議表明，公司同意在其破產(chǎn)程序中放棄對(duì)溫邦電子的債權(quán)，溫邦電子也同意不再繼續(xù)參與齊的破產(chǎn)程序。

更重要的是，Winbond收購(gòu)了齊留下的46nm技術(shù)。有了這項(xiàng)技術(shù)，Winbond于2011年12月開發(fā)并量產(chǎn)了46納米的DRAM芯片。之后，由于與埃爾皮達(dá)的合作，Winbond放棄了DRAM標(biāo)準(zhǔn)件的生產(chǎn)，轉(zhuǎn)而持續(xù)開發(fā)消費(fèi)級(jí)DRAM產(chǎn)品。直到2017年6月，Winbond才把DRAM芯片升級(jí)到38nm，之后就沒什么進(jìn)展了。

2015年6月，英飛凌重新包裝并以3000萬(wàn)美元的價(jià)格出售了齊的專利。它接管的公司是一家名為北極星創(chuàng)新有限公司的加拿大專利“轉(zhuǎn)售”公司。

此后，消失在半導(dǎo)體工業(yè)的長(zhǎng)河中，其技術(shù)再次問世，已在中國(guó)。

2019年5月15日，合肥長(zhǎng)信在上海舉行的GSA MEMORY+峰會(huì)上公布了其DRAM技術(shù)來源。通過與齊的合作，合肥長(zhǎng)信獲得了1000多萬(wàn)個(gè)與DRAM相關(guān)的技術(shù)文檔(約2.8TB數(shù)據(jù))和1.6萬(wàn)項(xiàng)專利。具體合作方式合肥長(zhǎng)信沒有透露。

這個(gè)消息，讓人知道了合肥長(zhǎng)信的技術(shù)來源和風(fēng)險(xiǎn)規(guī)避，至少，在專利壁壘和技術(shù)門檻很高的半導(dǎo)體行業(yè)，不擔(dān)心專利就很難吃飯。

2019年12月5日，北極星創(chuàng)新有限公司的母公司W(wǎng)i-LAN Inc .將這些專利打包出售給中國(guó)合肥長(zhǎng)新。雙方都沒有透露具體的交易金額。

這些知識(shí)產(chǎn)權(quán)由12000多項(xiàng)專利組成，包括與動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、閃存、半導(dǎo)體技術(shù)、半導(dǎo)體制造、光刻、封裝、半導(dǎo)體電路和存儲(chǔ)器接口相關(guān)的技術(shù)，包括約5000種美國(guó)專利和申請(qǐng)，以及7000多項(xiàng)國(guó)際專利和申請(qǐng)。這些專利的平均有效期超過4年。也就是說，基于奇數(shù)夢(mèng)達(dá)技術(shù)專利開發(fā)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片在未來將面臨更少的市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)

今年4月27日，合肥長(zhǎng)信與同樣是專利“倒賣”公司的美國(guó)半導(dǎo)體公司Rambus Inc .簽訂專利許可協(xié)議，合肥長(zhǎng)信從Rambus Inc .獲得了大量實(shí)施DRAM芯片技術(shù)專利的許可。

專利成了合肥長(zhǎng)信自救的手段之一。當(dāng)然也有一定的市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)。

有趣的是，在獲得齊的技術(shù)支持后，合肥長(zhǎng)信斥資25億美元進(jìn)行研發(fā)，在重新設(shè)計(jì)芯片架構(gòu)后，迅速將齊留下的46nm技術(shù)提升到10nm的水平(量產(chǎn)19nm，研發(fā)17nm)。

這無疑再次表明，只有擁有強(qiáng)大的財(cái)務(wù)實(shí)力，我們才能成為半導(dǎo)體行業(yè)的參與者。DRAM行業(yè)的三家廠商都是這樣發(fā)展的，尤其是三星和海力士。

在前期強(qiáng)大的資金支持下，通過提供高利潤(rùn)、高附加值的產(chǎn)品盈利后，大規(guī)模投入新技術(shù)、新產(chǎn)品開發(fā)，然后迅速推出新產(chǎn)品，獲得巨大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，完成良性循環(huán)。

三星、TSMC、英特爾、高通、華為，芯片行業(yè)的所有玩家都來自技術(shù)研發(fā)和資金支持。當(dāng)專利越來越集中，市場(chǎng)越來越集中的時(shí)候，新進(jìn)入者的門檻越來越高，法律風(fēng)險(xiǎn)越來越大，面對(duì)高科技的沖擊越來越大大咧咧。

所以，其實(shí)新人首先要考慮的是如何生存，這是他們最大的挑戰(zhàn)。

截至發(fā)表之時(shí)，合肥長(zhǎng)新的初始投資已經(jīng)超過500億，目前仍處于穩(wěn)定的投資流中。從46nm升級(jí)到10nm只需要25億美元。按照今天的匯率，已經(jīng)超過了一期180億元的計(jì)劃投資。但是16nm/14nm/12nm和64層/128層的后期研發(fā)還是未知。

只有國(guó)家意志的投入才能有高科技的產(chǎn)出，而這種沒有回收的投入只能靠整個(gè)國(guó)家的力量來完成。

追吧，追吧，目標(biāo)就在眼前了

在合肥長(zhǎng)新最新公布的產(chǎn)能計(jì)劃中，2020年第一季度已達(dá)到4萬(wàn)塊/月。到年底，一期和二期投產(chǎn)后，計(jì)劃達(dá)到8萬(wàn)片/月。到Q1，2021年，一期工程將達(dá)到滿產(chǎn)，月生產(chǎn)能力12萬(wàn)件，基本可以達(dá)到中國(guó)市場(chǎng)的3%，比0有很大進(jìn)步。

在2019年9月20日的中國(guó)制造大會(huì)上，合肥長(zhǎng)新宣布了技術(shù)發(fā)展計(jì)劃。長(zhǎng)信通過授權(quán)獲得了齊的嵌入式字線相關(guān)技術(shù)，在從世界各地招聘的人才和先進(jìn)制造設(shè)備的幫助下，齊的46nm已經(jīng)順利提升到10nm。

與此同時(shí)，合肥長(zhǎng)信也開始了HKMG、EUV、GAA等新技術(shù)的研發(fā)，這些技術(shù)研發(fā)的每一步都是為了追趕國(guó)外的先進(jìn)技術(shù)。

有趣的是，在未來的發(fā)展中，這些方向也是三巨頭的發(fā)展方向。合肥長(zhǎng)信的基調(diào)基本上是努力趕上1y nm/128層的三巨頭。

而且在市場(chǎng)上，價(jià)格戰(zhàn)這種國(guó)際大公司圍著中國(guó)公司在市場(chǎng)上突破壟斷行業(yè)的殺手锏，在合肥長(zhǎng)信DRAM芯片產(chǎn)品推出后開始上演。

比如700多天沒有降價(jià)的金士頓記憶，在廣為一系列Pro上架后就經(jīng)歷了降價(jià)促銷。這雖然是一個(gè)商家本身的“促銷行為”，但卻不得不被深受其害的中國(guó)街頭藝人嘲笑。而且，他的價(jià)格很有針對(duì)性。光威中國(guó)核心內(nèi)存賣218，我賣215。

無數(shù)中國(guó)企業(yè)實(shí)踐過的追逐、殺戮、超越，正在半導(dǎo)體行業(yè)上演。