說到記憶，可能就沒什么普通人可以聊的了。雖然是電腦中不可缺少的硬件，但只要容量足夠大，對游戲的影響和日常使用體驗并沒有很強的感知能力。

但對于DIY玩家來說，將記憶頻率刷新到新高，縮小時機是他們一直追求的。

雖然3600MHz可能比玩游戲用的2400MHz內存高幾幀，但是這個數(shù)字看著很舒服。

決定內存超頻的主要因素有三個。一種是匹配CPU的IMC，主要和IMC設計有關，也和CPU構成一樣。同型號各處理器的IMC會有物理差異；

二是主板和主板BIOS，這要看主板廠商的調整；

最后，還要看記憶粒子。今天，邊肖將帶你了解主流的內存粒子，這也方便你購買便宜易用的可以超頻的內存。

記憶粒子有什么區(qū)別？

記憶粒子之間為什么會有物理差異？首先生產(chǎn)記憶顆粒的廠家很多，應該是很多DIY玩家都知道的。

這里簡單列舉一下，目前消費市場90%的內存顆粒都是Magnum、Hynix、三星生產(chǎn)的，都是美韓巨頭。

此外，南亞、溫邦、麗晶等臺灣省廠商也會生產(chǎn)。但是后面這些廠商現(xiàn)在主要生產(chǎn)服務器內存顆粒，消費市場比較小。

內存顆粒就是DRAM芯片。每個廠商的技術研發(fā)能力不同，芯片設計不同，制造工藝不同，生產(chǎn)出來的芯片質量自然也會不一樣。

甚至同一個廠商生產(chǎn)的記憶粒子也會迭代開發(fā)。比如Hynix的第一代DDR4內存粒子主要有H5AN8G8NMFR、H5AN4G8NMFR等以MFR結尾的粒子，被民間稱為MFR粒子。

這些粒子可以在2666MHz或者2400MHz的頻率下穩(wěn)定運行，但是超頻的潛力很小，瘋狂的電壓施加無法成功。

Hynix隨后引入了AFR終結粒子，明顯提高了超頻性能，即帶壓超頻，顯著提高了頻率，現(xiàn)在已經(jīng)迭代發(fā)展成第三代CJR粒子。

目前主流的內存粒子有哪些？

那么目前主流的內存粒子有哪些呢？再說說不同的廠家。

海力士

例如，使用Hynix。先說海力士粒子。

剛才還說了第一代Hynix推廣的DDR4內存粒子是MFR粒子過程，由于有“H5AN8G4NCJR”等后綴CJR粒子，所以也叫CJR粒子。

CJR粒子的體能很好，更重要的是和近幾年火大的銳龍平臺非常兼容，可以輕松運行3600MHz，因此成為DIY玩家，尤其是AMD平臺玩家的寵兒。

此外，海力士還推出了新一代JJR顆粒，但這款顆粒是為了取代之前的MFR和AFR顆粒，超頻質量略遜于CJR顆粒。

簡單總結一下，目前市場上主流的海力士顆粒，體質的順序是CJR>JJR>AFR>MFR，但當然不排除可以犯一些體質好的特例。

獵戶座腰帶

三星的內存顆粒早在DDR3時代就已經(jīng)非常優(yōu)越，在DIY圈建立了聲譽。DDR4時代也是如此，所以這里不得不提三星B-die。

三星B-die是DDR4時代的超頻傳奇，大部分都是20nm工藝制作，無數(shù)內存超頻記錄都是他做的，是DIY玩家心中最好的一粒。

三星B-die與AMD、Intel的兼容性很好，在Intel平臺上達到4000MHz以上的頻率是基本操作，而且定時還是很低的，很受玩家歡迎。

而我們常說的B-die粒子，其實是K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB系列后綴中的BCBP粒子。

這些粒子是專門為旗艦內存挑選的，所以更準確的說，體質好的應該叫專門挑選的B-die。

剩下的普通B-dies雖然體質不錯，但是沒有實力挑戰(zhàn)超頻記錄。還有一個吃剩的B-Die，是最差的。

可惜三星去年宣布停止生產(chǎn)B-die顆粒，終結了一代傳奇。

現(xiàn)在市面上購買三星B-die顆粒的內存越來越難，之前也有內存廠商用它來制造旗艦產(chǎn)品，價格不菲。

三星A模和M模成功B模粒子。新粒子提高了密度，每個粒子的容量更大，降低了成本，便于制造單個32GB或更大的存儲器。

三星認為，A-die的超能力與B-die一致甚至更好，容量更大，而M-die則不如。

但是這么好的顆粒三星主要用在專業(yè)市場和服務器市場，消費市場還沒有達到。在產(chǎn)能達到之前，普通消費者可能無法獲得。

除此之外，目前市面上也有C模和E模，這些構成都比較一般。

綜上所述，我們就討論一下目前大家都能買到的三星內存的顆粒構成，選擇B模>普通B模>邊角料B模> C?！諩模，而A模和M模就不說了，因為市場上沒有買，也沒有測。

鎂光燈

之前DIY圈有鎂粒的情況比較低，一般比較穩(wěn)定耐用，但是超頻性能沒有三星那么搶眼。

氧化鎂B-die是一種比較早的DDR4顆粒，也是一種裝運大量鎂質的顆粒。這種顆粒比較穩(wěn)定耐用，但是不要想著怎么超頻，買了默認用就行了。

此外，菱鎂礦子公司Spectrek專門處理菱鎂礦檢測中不合格的降解顆粒。這些退化的記憶粒子會被打上Spectrek的大S標記，也就是所謂的大S粒子。

大的S粒子都是鎂光降解的碎片，但也有好的壞的。

例如，鎂光產(chǎn)生頻率為3200兆赫茲的記憶粒子，并將Spectek降低到2400兆赫茲的銷售標準。那你就不能說這些顆粒達不到3200MHz的要求，是垃圾顆粒；

但是有些大的S粒子是用低端內存篩選標準篩選出來的，產(chǎn)量極低。這些是垃圾顆粒。

所以大S粒子是混合的，也是很多山寨內存條喜歡用的內存粒子。最好避開那些不夠專業(yè)看懂粒子模型的DIY玩家。

當然，隨著時間的推移，氧化鎂像海力士一樣努力，推出了一批容易獲得高頻且關鍵價格不貴的粒子，即氧化鎂E-die，以5726MHz的分數(shù)打破了DDR4內存的超頻記錄。

菱鎂礦E模是17世紀末菱鎂礦生產(chǎn)的顆粒。只是在三星B-die停產(chǎn)之前，玩的人很少，直到19年才被有大國實力的DIY玩家發(fā)現(xiàn)。

在超頻玩家手里，氧化鎂E-die超頻到4000MHz并不難，但是電壓要提高的更高，定時也很難收窄。

雖然有一些瑕疵，但是鎂E-die最近比較流行，因為目前鎂E-die主要用在英瑞達的原廠內存，最低價格也就200多，非常實惠，可以稱之為民用法拉利。

不同類型的鎂電子模具顆粒之間存在物理差異。目前民間做法最好的是C9BJZ，其次是D9VPP，其他和普通的B-die沒有明顯區(qū)別。

如果給一個鎂粒的序列，大概是E-dieC9BJZ>E-die D9VPP >其他E-die>B-die >大s。

看完每個總結，大家應該能明白哪些粒子比較好，但是這三個應該怎么排序在一起呢？

不要慌，這里邊肖簡單總結了一個簡單的記憶粒階梯表供大家參考，有需要的小伙伴可以保存。

那么記憶粒子呢？

一般來說，記憶顆粒的數(shù)量是表面的，但現(xiàn)在的記憶基本上都有馬甲，普通消費者拆開馬甲看顆粒是不現(xiàn)實的。

這時候一個方便的方法就是使用Thaiphoon Burner軟件，可以讀取內存中的各種信息。讓我們教你如何使用它。

百度下載軟件，直接打開，點擊紅框中的Read進入信息頁面。

我的記憶是石泉出品，用的是Hynix Hynix顆粒。粒數(shù)以CJR結尾，模型也聲明是C-die。顯然，我的記憶使用海力士CJR顆粒。

以此類推，這個內存就是鎂D9VPP E-die。

這款內存是三星專門為BCPB挑選的B-die。

但臺風并不完全準確，根據(jù)其大數(shù)據(jù)估算，但也接近。想看的話，把軟件更新到最新版本會更靠譜。

總結

其實除了少數(shù)熱心DIY的玩家，記憶粒子的體質對大多數(shù)人影響不大。大多數(shù)人可以購買內存，打開XMP后默認使用。這個張文也是為極小的DIY愛好者準備的。

對于這部分發(fā)燒友，邊肖最后給出了購買建議。

三星的B-die已經(jīng)停產(chǎn)，現(xiàn)在只存在于價格較高的旗艦內存中，沒必要太勉強。鎂C9BJZ是很好的替代品。

目前，C9BJZ多用于馬光旗下的英瑞達內存，某東平臺自營的英瑞達ballistix 3000 MHz馬甲條使用C9BJZ粒子的概率較大。

目前該內存因漲價脫銷。喜歡折騰的玩家可以關注一下。