場效應(yīng)管連接類型、絕緣柵類型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣型柵場效應(yīng)管(JGFET)因與晶格不同的電極完全絕緣而得名。目前絕緣柵場效應(yīng)管中應(yīng)用最廣泛的是MOS場效應(yīng)管，即MOS管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管)。還有PMOS、NMOS、VMOS功率場效應(yīng)晶體管等。

溝也有結(jié)晶型和絕緣型各粉道和P溝兩種，具體取決于半導(dǎo)體材料。用導(dǎo)電的方式劃分，場效應(yīng)管又可以分為枯竭型和增強型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管均為耗盡型并強化。

場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。MOS場效應(yīng)晶體管分為N槽耗盡型和增強型。p溝枯竭類型及改進(jìn)的四大類。

常用的現(xiàn)場實用工具管包括：

1、MOS場效應(yīng)晶體管

金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管，屬于絕緣柵極類型。主要特點是金屬閘門和溝之間有二氧化硅絕緣層，輸入阻力高。它還分為N通道管道和P通道管道，通常連接內(nèi)襯(襯底)和源極S。根據(jù)傳導(dǎo)方式，MOSFET又分為增強型和消耗型。

強化是指當(dāng)VGS=0時，管道處于阻塞狀態(tài)，加上正確的VGS后，大多數(shù)載流子會被拉到晶格中，“強化”該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝。小鎮(zhèn)型是指當(dāng)VGS=0時形成溝渠，加上正確的VGS，大多數(shù)流量者會從溝渠流出，將“放電”的流量者、管道轉(zhuǎn)向切口。(阿爾伯特愛因斯坦)(美國)。

以N溝為例，在P型硅襯底上制作兩個高濃度源擴散區(qū)N和泄漏擴散區(qū)N，然后分別誘導(dǎo)源S和泄漏D。源極和襯底是內(nèi)部連接的，兩者總是保持等電位。電源正、源極電源陰極和VGS=0泄漏時通道電流(即泄漏電流)ID=0。隨著VGS逐漸升高，在柵極正電壓的驅(qū)動下，檢測到兩個擴散區(qū)域之間有負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到遠(yuǎn)極的N型溝，當(dāng)VGS大于管道的開放電壓VTN(通常約2V)時，N通道管道流入，形成漏電流ID。

由于MOS場效應(yīng)管的輸入電阻很高，柵極-源極間電容器非常小，因此很容易對外部電磁場或靜電的檢測產(chǎn)生電能，少量電荷會對極間電容器形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C)，從而損害管道。

因此，工廠的每一針都相互纏繞或放在金屬箔內(nèi)，使G極和S極具有等電位，防止靜電下積累。管道不使用時，所有引線也要短連接。測量時要特別小心，并采取相應(yīng)的防靜電措施。

莫爾斯場效應(yīng)管檢測方法

(1)準(zhǔn)備工作

測量前，先把人體短路在地面上，然后才能摸到MOSFET的別針。最好在手腕上連接電線，與大地連接，保持人體和大地的等電位。然后拔下銷并拆下導(dǎo)線。

(2)判定電極

如果把萬用表掛在R100檔，首先決定閘機。如果某只腳和另一只腳的阻力是無限的，則證明這只腳是門G。交換表筆再測量，S-D之間的電阻值應(yīng)該在幾百歐元到幾千歐元之間，其中電阻小的情況下，黑色表筆是D極，紅色表筆是S極。

(3)放大能力檢查(跨導(dǎo))

G極懸浮在空中，黑色表筆是D極，紅色表筆是S極，然后用手指觸摸G極，表針應(yīng)該有更大的偏向。雙柵極MOS場效應(yīng)管有兩個柵極G1、G2。為了區(qū)分，可以用手分別觸摸G1、G2極點。在這里，表針是偏向左邊的寬度較大的G2極。

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