東芝今天在官網(wǎng)上發(fā)布了新開發(fā)的SiC-MOSFET設(shè)備—MG800FXF2YMS3。

據(jù)悉，該新產(chǎn)品是安裝兼容性高的iXPLV(智能軟包裝低壓)封裝，滿足了鐵路車輛逆變器和轉(zhuǎn)換器、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對(duì)高效小型設(shè)備的需求。

此外，新開發(fā)的SiC-MOSFET模塊還采用了業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝以及實(shí)現(xiàn)低寄生電感的SDB芯片。

新模塊適用于光伏逆變器、工業(yè)逆變器、鐵路車輛逆變器、轉(zhuǎn)換器等，通過(guò)高速開關(guān)和低損耗操作，可以進(jìn)一步幫助工業(yè)設(shè)備的小型化和輕量化。

新穎的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和獨(dú)特的性能

新的MG800FXF2YMS3模塊使用新開發(fā)的iXPLV包，進(jìn)一步優(yōu)化了操作電路特殊結(jié)構(gòu)。這個(gè)新的軟件包引入了兩個(gè)用于溫度檢測(cè)的熱檢測(cè)傳感器和一個(gè)用于電流檢測(cè)的電感。這樣，模塊的溫度可以使用安裝在iXPLV上的熱敏電阻(熱敏電阻最大額定電壓7.1伏，最大額定電流5毫安(建議電流100A)，最大額定功率10毫安，工作溫度范圍-40至150，最大額定范圍內(nèi)的熱敏電阻對(duì)進(jìn)行自我監(jiān)控。

同時(shí)，MG800FXF2YMS3可以在IGBT不工作的高頻電路中驅(qū)動(dòng)高速開關(guān)電路，從而降低逆變器系統(tǒng)的材料成本，進(jìn)一步提高部件的可靠性，降低維護(hù)成本。

同時(shí)，為了讓大家更清楚地了解產(chǎn)品的性能特性，MG800FXF2YMS3在功能測(cè)試中隨機(jī)抽取市場(chǎng)上友商生產(chǎn)的產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試比較，得到了以下完整的測(cè)試結(jié)果：

碳化硅功率模塊的新封裝(iXPLV)

可靠性是碳化硅裝置使用有限的主要問(wèn)題。高壓電源模塊中使用的應(yīng)用不僅需要半導(dǎo)體芯片，而且封裝本身也必須具有很高的可靠性。東芝通過(guò)新的銀(Ag)燒結(jié)技術(shù)進(jìn)行芯片焊接，實(shí)現(xiàn)了有效提高封裝可靠性的目標(biāo)。

目前，碳化硅封裝中功率密度增大，開關(guān)頻率提高，焊接性能下降，難以抑制芯片隨著時(shí)間的推移而增加的傳導(dǎo)電阻。銀燒結(jié)技術(shù)可以顯著減少這種退化。銀燒結(jié)層的熱阻只有焊接層的一半，因此模塊的芯片可以更接近，從而減小尺寸。

通過(guò)改進(jìn)銀燒結(jié)技術(shù)提高可靠性[3]

東芝純碳化硅部件正在逐漸量產(chǎn)

2021年9月，東芝電子零部件(上海)有限公司分立零部件應(yīng)用技術(shù)部高級(jí)經(jīng)理屈興國(guó)在行業(yè)展覽會(huì)上接受采訪時(shí)表示：“東芝的純碳化硅產(chǎn)品也是工業(yè)用產(chǎn)品，目前沒(méi)有車輛用碳化硅產(chǎn)品，但車規(guī)級(jí)純碳化硅零部件已經(jīng)計(jì)劃好了?！?

另外，在生產(chǎn)能力方面，東芝預(yù)計(jì)對(duì)EV的需求將迅速擴(kuò)大，東芝半導(dǎo)體運(yùn)營(yíng)商公司“東芝電子零部件和存儲(chǔ)設(shè)備”計(jì)劃到2023年將半導(dǎo)體工廠的SiC電力半導(dǎo)體產(chǎn)量擴(kuò)大到2020年的3倍。

資料來(lái)源：碳化硅芯觀察