DDR2有三種功能：ODT \ cas \ OCD

DDR2是三種新技術(shù)：OCD、ODT和Post CAS。OCD(FF-CHIP驅(qū)動(dòng)程序):DDR II(稱為離線驅(qū)動(dòng)器調(diào)節(jié))可以通過(guò)OCD提高信號(hào)完整性。DDRII調(diào)整牽引/牽引的電阻值，使兩個(gè)電壓相同。使用OCD減少DQ-DQS的斜率，提高信號(hào)完整性。調(diào)整電壓，提高信號(hào)質(zhì)量。但是OCD技術(shù)在一般應(yīng)用領(lǐng)域的作用并不明顯，但必須在服務(wù)器上使用，才能充分發(fā)揮其功能。(威廉莎士比亞，OCD，OCD，OCD，OCD，OCD，OCD，OCD) ODT:ODT是內(nèi)置核心的終結(jié)電阻器。戴爾知道，使用DDR SDRAM的主板上需要大量的終端電阻，以防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)。它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上，內(nèi)存模塊對(duì)結(jié)束電路的要求不同，結(jié)束電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信噪比和反射率，結(jié)束電阻小的話數(shù)據(jù)線信號(hào)反射率低，但信噪比也低。終端電阻高，數(shù)據(jù)線的信噪比高，但信號(hào)反射也增加。因此，主板的終端電阻與內(nèi)存模塊不太匹配，可能會(huì)對(duì)信號(hào)質(zhì)量產(chǎn)生一定影響。DDR2可以根據(jù)自己的特性嵌入適當(dāng)?shù)目v向電阻，以確保最佳信號(hào)波形。使用DDR2不僅可以降低主板成本，還可以獲得DDR無(wú)法比擬的最佳信號(hào)質(zhì)量。

Post CAS:旨在提高DDR II內(nèi)存使用效率。在Post CAS操作中，CAS信號(hào)(讀/寫/命令)可以插入RAS信號(hào)后面的時(shí)鐘周期中，CAS命令在附加延遲后仍然有效。原始tRCD(從RAS到CAS和延遲)將替換為自適應(yīng)局限性(AL)，AL可以在0，1，2，3，4處設(shè)置。CAS信號(hào)放置在RAS信號(hào)后面的時(shí)鐘周期中，因此ACT和CAS信號(hào)不會(huì)發(fā)生碰撞沖突。但是，Posted CAS功能的優(yōu)點(diǎn)只能在讀寫命令非常頻繁的操作環(huán)境中實(shí)現(xiàn)，對(duì)于一般應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)，打開(kāi)Posted CAS功能會(huì)降低系統(tǒng)的整體性能。

為了兼容性，DDR2標(biāo)準(zhǔn)在開(kāi)發(fā)初期似乎有些萎縮，與DDR相比，在所有方面都沒(méi)有太大的進(jìn)步。新一代DDR3采用核心集成監(jiān)控器(ODT)技術(shù)和用于優(yōu)化性能的EMRS技術(shù)，還允許輸入時(shí)鐘異步。在針腳定義方面，DDR3表現(xiàn)出很強(qiáng)的獨(dú)立性，它完全放棄了TSOPII和mBGA封裝的形式，有時(shí)采用更先進(jìn)的FBGA封裝。DDRIII內(nèi)存采用0.08微米制造工藝制造，以1.5V的電壓工作。

DDR2芯片內(nèi)部端ODT技術(shù)分析

支持DDR2的主板經(jīng)常出現(xiàn)偷工減料現(xiàn)象。這是因?yàn)镈DR2內(nèi)存使用了新的ODT技術(shù)，在提高內(nèi)存信號(hào)穩(wěn)定性方面節(jié)省了很多電氣組件。主板關(guān)閉是關(guān)閉主板內(nèi)干擾信號(hào)的最常用方法。在每條信號(hào)傳輸路徑的末端放置一個(gè)終端電阻，該電阻具有吸收反射的電子的電阻。但是，目前DDR2內(nèi)存的工作頻率太高，這種主板關(guān)機(jī)方法無(wú)法有效阻止干擾信號(hào)。用主板結(jié)束的方法獲得純粹的DDR2時(shí)鐘信號(hào)可能需要巨大的制造成本。(威廉莎士比亞，模板，主板，主板，主板，主板，主板)ODT是ON-DIE TERMINATIOTIN的縮寫，意思是內(nèi)部核心端。從DDR2內(nèi)存開(kāi)始，終結(jié)電阻器在內(nèi)部集成，主板上的終結(jié)電路被移植到內(nèi)存芯片中。內(nèi)存芯片工作時(shí)，系統(tǒng)會(huì)切斷終端電阻器；對(duì)于暫時(shí)無(wú)法工作的內(nèi)存芯片，打開(kāi)終端電阻器，減少信號(hào)反射。因此，DDR2內(nèi)存控制器可以通過(guò)ODT同時(shí)管理所有內(nèi)存針腳的信號(hào)關(guān)閉。阻力值也有多個(gè)選項(xiàng)。0 、50 、75 、150 等。此外，內(nèi)存控制器可以根據(jù)系統(tǒng)內(nèi)干擾信號(hào)的強(qiáng)度自動(dòng)調(diào)整阻抗值的大小。

事實(shí)上，ODT技術(shù)的具體內(nèi)部結(jié)構(gòu)并不復(fù)雜。內(nèi)存中的各種針腳和內(nèi)存模塊的內(nèi)部緩沖區(qū)之間有EMRS擴(kuò)展模式寄存器，通過(guò)內(nèi)部控制針腳可以控制ODT的電阻值。系統(tǒng)可以使用2位地址定義ODT的四種作業(yè)狀態(tài)。(0、50、75、150)當(dāng)ODT接到設(shè)定命令時(shí)，它會(huì)保持這種抵抗?fàn)顟B(tài)。在收到其他設(shè)置命令之前，不會(huì)切換到其他阻力狀態(tài)。

向內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)時(shí)，如果只有一個(gè)內(nèi)存，則該內(nèi)存有自己信號(hào)的末端，終止電阻等于150。如果是兩個(gè)內(nèi)存，他們會(huì)交錯(cuò)地進(jìn)行信號(hào)的結(jié)束。如果第一個(gè)模塊工作，則第二個(gè)模塊關(guān)閉；如果第二個(gè)模塊工作，則第一個(gè)模塊關(guān)閉，但等效電阻為75。有三個(gè)內(nèi)存時(shí)，三個(gè)交替進(jìn)行信號(hào)端，但等效電阻為50。

整個(gè)ODT設(shè)置和控制是通過(guò)EMRS的控制針完成的。因此，該引腳的響應(yīng)速度成為ODT技術(shù)的關(guān)鍵因素。ODT在兩種基本模式下工作：關(guān)機(jī)模式和其他模式。其他模式還包括活動(dòng)模式

和備用模式。ODT 從工作到關(guān)閉所用的時(shí)差叫做 tAONPD 延遲，最少僅 2 個(gè)時(shí)鐘周期就可以完成，最多 5 個(gè)時(shí)鐘周期。ODT 從關(guān)閉到工作所用的時(shí)差叫做 tAOFPD 延遲，最少僅 2 個(gè)時(shí)鐘周期完成，最大需要五個(gè)時(shí)鐘周期。由于開(kāi)啟和休眠的切換如此迅速，內(nèi)存可以在不影響性能的前提下充分的進(jìn)行"休息"。

ODT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)非常明顯。第一，去掉了主板上的終結(jié)電阻器等電器元件，這樣會(huì)大大降低主板的制造成本，并且也使主板的設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)潔。第二，由于它可以迅速的開(kāi)啟和關(guān)閉空閑的內(nèi)存芯片，在很大程度上減少了內(nèi)存閑置時(shí)的功率消耗。第三，芯片內(nèi)部終結(jié)也要比主板終結(jié)更及時(shí)有效，從而減少了內(nèi)存的延遲等待時(shí)間。這也使得進(jìn)一步提高 DDR2 內(nèi)存的工作頻率成為可能。

目前 DDR2 尚未完全取代 DDR 內(nèi)存，在目前的整機(jī)環(huán)境下，DDR2 基本能夠滿足各類型計(jì)算機(jī)的應(yīng)用需求，那么最新一代的 DDR3 相比 DDR2 具有哪些優(yōu)勢(shì)，使得包括 Intel 和 AMD 以及 A-DATA 在內(nèi)的眾多國(guó)際頂級(jí)廠商都致力于 DDR3 的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用呢？最主要的原因是，由于 DDR2 的數(shù)據(jù)傳輸頻率發(fā)展到 800MHz 時(shí)，其內(nèi)核工作頻率已經(jīng)達(dá)到了 200MHz，因此，再向上提升較為困難，這就需要釆用新的技術(shù)來(lái)保證速度的可持續(xù)發(fā)展性。另外，也是由于速度提高的緣故，內(nèi)存的地址/命令與控制總線需要 有全新的拓樸結(jié)構(gòu)，而且業(yè)界也要求內(nèi)存要具有更低的能耗。

DDR2 內(nèi)存能夠取代 DDR 內(nèi)存，不僅是因?yàn)閹捝系膬?yōu)勢(shì)，還有非常重要的一條，那就是 DDR2 在節(jié)能上比 DDR 更有優(yōu)勢(shì)。同樣的，DDR3 的低功耗特性對(duì)于移動(dòng)設(shè)備來(lái)說(shuō)意義重大，功耗降低可以顯著延長(zhǎng)設(shè)備電池的續(xù)航能力。英特爾在(今年)春季的 IDF 峰會(huì)上就對(duì)分別搭載 DDR2 與 DDR3 的移動(dòng)機(jī)型做了對(duì)比，在高清視頻播放模式下，DDR3 機(jī)型的電池時(shí)間可比同配置 DDR2 機(jī)型高出 20～30 分鐘，節(jié)能效果十分顯著。

DDR3 的低功耗主要得益于較低的核心電壓，第一代 DDR 內(nèi)存的核心電壓達(dá)到 2.5V，DDR2 降低到 1.8V，而 DDR3 則進(jìn)一步降低到 1.5V；此外，I/O Buffer 也采用低功耗設(shè)計(jì)，I/O Driver 的阻值從DDR2 的 34 歐姆降低到 18 歐姆，這也可以帶來(lái)明顯的功耗降低——整體而言，DDR3 內(nèi)存擁有更為出色的帶寬功耗比(Bandwitdh per watt，每瓦能耗的帶寬指標(biāo))，假設(shè) DDR2 800 的功耗/帶寬比為參照點(diǎn) 1，那么 DDR3 800 的比值就只有 0.72，相當(dāng)于在相同帶寬前提下，DDR3 800 的功耗和 DDR2 800相比有 28%的降幅；即便是更高性能的 DDR3 1066、它的比值也只提升到 0.83，功耗降幅也達(dá)到 17%。因此，從 DDR2 升級(jí)到 DDR3，內(nèi)存系統(tǒng)的功耗將明顯降低，移動(dòng)設(shè)備也可因此獲得更長(zhǎng)的電池續(xù)航力。Intel 最新的 965 芯片組家族只支持 DDR2，并放棄了對(duì) DDR 的支持。AMD 方面則要積極得多， AMD計(jì)劃在下一代的 K8L 架構(gòu) CPU 中全面導(dǎo)入對(duì) DDR3 內(nèi)存的支持。在 AMD 的路線圖看，K8L CPU 將支持同時(shí) DDR2 和 DDR3 內(nèi)存，但很顯然，DDR2 內(nèi)存不是 AMD 最好的選擇，高頻率、低時(shí)序的 DDR3 內(nèi)存必然會(huì)是 AMD 積極開(kāi)拓的對(duì)象。

從規(guī)格來(lái)看，DDR3 仍將沿用 FBGA 封裝方式，故在生產(chǎn)上與 DDR2 內(nèi)存區(qū)別不大。但是由設(shè)計(jì)的角度上來(lái)看，因 DDR3 的起跳工作頻率在 1066MHz，這在電路布局上將是一大挑戰(zhàn)，特別是電磁干擾，因此也將反映到 PCB 上增加模塊的成本。預(yù)計(jì)在 DDR3 進(jìn)入市場(chǎng)初期，其價(jià)格將是一大阻礙，而隨著逐步的普及，產(chǎn)量的提升才能進(jìn)一步降低成本。

DDR3 內(nèi)存的新增功能，DDR3 內(nèi)存還有部分 DDR2 內(nèi)存所不具備的功能，正是這些，讓 DDR3 內(nèi)存的表現(xiàn)有了根本性的提高

重置（Reset）

重置是 DDR3 新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專門準(zhǔn)備了一個(gè)引腳。DRAM 業(yè)界已經(jīng)很早以前就要求增這一功能，如今終于在 DDR3 身上實(shí)現(xiàn)。這一引腳將使 DDR3 的初始化處理變得簡(jiǎn)單。當(dāng) Reset 命令有效時(shí)，DDR3 內(nèi)存將停止所有的操作，并切換至最少量活動(dòng)的狀態(tài)，以節(jié)約電力。在 Reset 期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所以有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉。所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時(shí)鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動(dòng)靜。這樣一來(lái)，將使 DDR3 達(dá)到最節(jié)省電力的目的。

ZQ 校準(zhǔn)ZQ 也是一個(gè)新增的腳，在這個(gè)引腳上接有一個(gè) 240 歐姆的低公差參考電阻。這個(gè)引腳通過(guò)一個(gè)命令集，通過(guò)片上校準(zhǔn)引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來(lái)自動(dòng)校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻與ODT 的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令之后，將用相應(yīng)的時(shí)鐘周期（在加電與初始化之后用 512 個(gè)時(shí)鐘周期，在退出自刷新操作后用 256 時(shí)鐘周期、在其他情況下用 64 個(gè)時(shí)鐘周期）對(duì)導(dǎo)通電阻和 ODT 電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。

參考電壓分成兩個(gè)

對(duì)于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號(hào) VREF，在 DDR3 系統(tǒng)中將分為兩個(gè)信號(hào)。一個(gè)是為命令與地址信號(hào)服務(wù)的 VREFCA，另一為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的 VREFDQ，它將有效的提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級(jí)。

根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）

為了保證所保存的數(shù)據(jù)不丟失，DRAM 必須定時(shí)進(jìn)行刷新，DDR3 也不例外。不過(guò)，為了最大的節(jié)省電力，DDR3 采用了一種新型的自動(dòng)自刷新設(shè)計(jì)（ASR，Automatic Self-Refresh）。當(dāng)開(kāi)始 ASR 之后，將通過(guò)一個(gè)內(nèi)置于 DRAM 芯片的溫度傳感器來(lái)控制刷新的頻率，因?yàn)樗⑿骂l率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過(guò) DDR3的 ASR 是可選設(shè)計(jì)，并不見(jiàn)得市場(chǎng)上的 DDR3 內(nèi)存都支持這一功能，因此還有一個(gè)附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT，Self-Refresh Temperature）。通過(guò)模式寄存器，可以選擇兩個(gè)溫度范圍，一個(gè)是普通的的溫度范圍（例如 0℃至 85℃），另一個(gè)是擴(kuò)展溫度范圍，比如最高到 95℃。對(duì)于 DRAM 內(nèi)部設(shè)定的這兩種溫度范圍，DRAM 將以恒定的頻率和電流進(jìn)行刷新操作。

局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）

這是 DDR3 的一個(gè)可選項(xiàng)，通過(guò)這一功能，DDR3 內(nèi)存芯片可以只刷新部分邏輯 Bank，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產(chǎn)生的電力消耗。這一點(diǎn)與移動(dòng)型內(nèi)存（Mobile DRAM）的設(shè)計(jì)很相似。

點(diǎn)對(duì)點(diǎn)連接（P2P，Point-to-Point）

這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行了重要改動(dòng)，也是與 DDR2 系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別。在 DDR3 系統(tǒng)中，一個(gè)內(nèi)存控制器將只與一個(gè)內(nèi)存通道打交道，而且這個(gè)內(nèi)存通道只能一個(gè)插槽。因此內(nèi)存控制器與 DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)（P2P，Point-to-Point）的關(guān)系（單物理 Bank 的模組），或者是點(diǎn)對(duì)雙點(diǎn)（P22P，Point-to-two-Point）的關(guān)系（雙物理 Bank 的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面，與 DDR2 的類別相類似，也有標(biāo)準(zhǔn) DIMM（臺(tái)式 PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務(wù)器）之分，其中第二代 FB-DIMM 將采用規(guī)格更高的 AMB2（高級(jí)內(nèi)存緩沖器）。不過(guò)目前有關(guān) DDR3 內(nèi)存模組的標(biāo)準(zhǔn)制定工作剛開(kāi)始，引腳設(shè)計(jì)還沒(méi)有最終確定。此外，DDR3還在功耗管理，多用途寄存器方面有不少新的設(shè)計(jì)。

BGA 封裝

BGA 技術(shù)（Ball Grid Array Package）即球柵陣列封裝技術(shù)。BGA 封裝的 I/O 端子以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面，BGA 技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是 I/O 引腳數(shù)雖然增加了，但引腳間距并沒(méi)有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但 BGA 能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術(shù)有所減少；寄生參數(shù)減小，信號(hào)傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。

BGA 封裝技術(shù)可詳分為五大類：

1.PBGA（PlasrIC BGA）基板：一般為 2-4 層有機(jī)材料構(gòu)成的多層板。Intel 系列 CPU 中，PentiumII、III、IV 處理器均采用這種封裝形式。

2.CBGA（CeRAMicBGA）基板：即陶瓷基板，芯片與基板間的電氣連接通常采用倒裝芯片（FlipChip，簡(jiǎn)稱 FC）的安裝方式。Intel 系列 CPU 中，Pentium I、II、Pentium Pro 處理器均采用過(guò)這種封裝形式。

3.FCBGA（FilpChipBGA）基板：硬質(zhì)多層基板。

4.TBGA（TapeBGA）基板：基板為帶狀軟質(zhì)的 1-2 層 PCB 電路板。

5.CDPBGA（Carity Down PBGA）基板：指封裝中央有方型低陷的芯片區(qū)（又稱空腔區(qū)）。

BGA 封裝具有以下特點(diǎn)：

1.I/O 引腳數(shù)雖然增多，但引腳之間的距離遠(yuǎn)大于 QFP 封裝方式，提高了成品率。

2.雖然 BGA 的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善電熱性能。

3.信號(hào)傳輸延遲小，適應(yīng)頻率大大提高。

4.組裝可用共面焊接，可靠性大大提高。

CSP 封裝

CSP(Chip Scale Package)，是芯片級(jí)封裝的意思。CSP 封裝最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，其技術(shù)性能又有了新的提升。CSP 封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過(guò) 1:1.14，已經(jīng)相當(dāng)接近 1:1 的理想情況，絕對(duì)尺寸也僅有 32 平方毫米，約為普通的 BGA 的 1/3，僅僅相當(dāng)于 TSOP 內(nèi)存芯片面積的 1/6。與BGA 封裝相比，同等空間下 CSP 封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍。0.2 毫米，大大提高了內(nèi)存芯片在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度提高。CSP 封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號(hào)的傳導(dǎo)距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得 CSP 的存取時(shí)間比 BGA 改善 15%-20%。在 CSP 的封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過(guò)一個(gè)個(gè)錫球焊接在 PCB 板上，由于焊點(diǎn)和 PCB 板的接觸面積較大，所以內(nèi)存芯片在運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導(dǎo)到 PCB 板上并散發(fā)出去。CSP 封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為 35℃/W，而 TSOP 熱阻 40℃/W。CSP 封裝又可分為四類：1.Lead Frame Type(傳統(tǒng)導(dǎo)線架形式)，代表廠商有富士通、日立、Rohm、高士達(dá)（Goldstar）等等。2.Rigid Interposer Type(硬質(zhì)內(nèi)插板型)，代表廠商有摩托羅拉、索尼、東芝、松下等等。3.Flexible Interposer Type(軟質(zhì)內(nèi)插板型)，其中最有名的是 Tessera 公司的 microBGA，CTS 的sim-BGA 也采用相同的原理。其他代表廠商包括通用電氣（GE）和 NEC。4.Wafer Level Package(晶圓尺寸封裝)：有別于傳統(tǒng)的單一芯片封裝方式，WLCSP 是將整片晶圓切割為一顆顆的單一芯片，它號(hào)稱是封裝技術(shù)的未來(lái)主流，已投入研發(fā)的廠商包括 FCT、Aptos、卡西歐、EPIC、富士通、三菱電子等。

CSP 封裝具有以下特點(diǎn)：

1.滿足了芯片 I/O 引腳不斷增加的需要。

2.芯片面積與封裝面積之間的比值很小。

3.極大地縮短延遲時(shí)間。

CSP 封裝適用于腳數(shù)少的 IC，如內(nèi)存條和便攜電子產(chǎn)品。未來(lái)則將大量應(yīng)用在信息家電（IA）、數(shù)字電視（DTV）、電子書（E-Book）、無(wú)線網(wǎng)絡(luò) WLAN／GigabitEthemet、ADSL／手機(jī)芯片、藍(lán)芽（Bluetooth）等新興產(chǎn)品中。

有關(guān)內(nèi)存延時(shí)：

CAS 延時(shí)，有時(shí)也稱為 CL 或 CAS，是 RAM 必須等待直到它可以再次讀取或?qū)懭氲淖钚r(shí)鐘數(shù)。很明顯，這個(gè)數(shù)字越低越好。tRCD 是內(nèi)存中特殊行上的數(shù)據(jù)被讀取/寫入之前的延遲。這個(gè)數(shù)字也是越低越好。tRP 主要是行預(yù)充電的時(shí)間。tRP 是系統(tǒng)在向一行寫入數(shù)據(jù)之后，在另一行被激活之前的等待時(shí)間。越低越好。

tRAS 是行被激活的最小時(shí)間。所以基本上 tRAS 是指行多少時(shí)間之內(nèi)必須被開(kāi)啟。這個(gè)數(shù)字隨著 RAM設(shè)置，變化相當(dāng)多。Automatic Configuration"自動(dòng)設(shè)置"（可能的選項(xiàng)：On/ Off 或 Enable/Disable）可能出現(xiàn)的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD 等，如果你要手動(dòng)調(diào)整你的內(nèi)存時(shí)序，你應(yīng)該關(guān)閉它，之后會(huì)自動(dòng)出現(xiàn)詳細(xì)的時(shí)序參數(shù)列表。Bank Interleaving（可能的選項(xiàng)：Off/Auto/2/4）這里的 Bank 是指 L-Bank，目前的 DDR RAM 的內(nèi)存芯片都是由 4 個(gè) L-Bank 所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設(shè)為 4（Auto 也可以，它是根據(jù) SPD 中的 L-Bank 信息來(lái)自動(dòng)設(shè)置的）。Burst Length"突發(fā)長(zhǎng)度"（可能的選項(xiàng)：4/8）

一般而言，如果是 AMD Athlon XP 或 Pentium4 單通道平臺(tái)，建議設(shè)為 8，如果是 Pentium4 或 AMD 64的雙通道平臺(tái)，建議設(shè)為 4。但具體的情況要視具體的應(yīng)用而定。

CAS Latency "列地址選通脈沖潛伏期"（可能的選項(xiàng)：1.5/2）

BIOS 中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。

Command Rate"首命令延遲"（可能的選項(xiàng)：1/2）

這個(gè)選項(xiàng)目前已經(jīng)非常少見(jiàn)，一般還被描述為 DRAM Command Rate、CMD Rate 等。由于目前的 DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行 P-Bank 的選擇（通過(guò) DIMM 上 CS 片選信號(hào)進(jìn)行），然后才是 L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在 P-Bank 選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的 L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。顯然，也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過(guò)短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間，才需要將此參數(shù)調(diào)長(zhǎng)。目前的大部分主板都會(huì)自動(dòng)設(shè)置這個(gè)參數(shù)，而從上文的 ScienceMark 2.0 測(cè)試中，大家也能察覺(jué)到容量與延遲之間的關(guān)系。

RAS Precharge Time "行預(yù)充電時(shí)間"（可能的選項(xiàng)：2/3/4）BIOS 中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。RAS-to-CAS Delay"行尋址至列尋址延遲時(shí)間"（可能的選項(xiàng)：2/3/4/5）BIOS 中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD 等。Active to Precharge Delay"行有效至行預(yù)充電時(shí)間"（可能的選項(xiàng)：1……5/6/7……15）BIOS 中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay 等。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，具體設(shè)置思路見(jiàn)上文，并不是說(shuō)越大或越小就越好。

第八：超標(biāo)量。超標(biāo)量是指在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi) CPU 可以執(zhí)行一條以上的指令。這在 486 或者以前的 CPU上是很難想象的，只有 Pentium 級(jí)以上 CPU 才具有這種超標(biāo)量結(jié)構(gòu)；486 以下的 CPU 屬于低標(biāo)量結(jié)構(gòu)，即在這類 CPU 內(nèi)執(zhí)行一條指令至少需要一個(gè)或一個(gè)以上的時(shí)鐘周期。

第九：L1 高速緩存，也就是我們經(jīng)常說(shuō)的一級(jí)高速緩存。在 CPU 里面內(nèi)置了高速緩存可以提高 CPU 的運(yùn)行效率，這也正是 486DLC 比 386DX-40 快的原因。內(nèi)置的 L1 高速緩存的容量和結(jié)構(gòu)對(duì) CPU 的性能影響較大，容量越大，性能也相對(duì)會(huì)提高不少，所以這也正是一些公司力爭(zhēng)加大 L1 級(jí)高速緩沖存儲(chǔ)器容量的原因。不過(guò)高速緩沖存儲(chǔ)器均由靜態(tài) RAM 組成，結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，在 CPU 管芯面積不能太大的情況下，L1級(jí)高速緩存的容量不可能做得太大。

第十：采用回寫(Write Back)結(jié)構(gòu)的高速緩存。它對(duì)讀和寫操作均有效，速度較快。而采用寫通(Write-through)結(jié)構(gòu)的高速緩存，僅對(duì)讀操作有效.

第十一：動(dòng)態(tài)處理。動(dòng)態(tài)處理是應(yīng)用在高能奔騰處理器中的新技術(shù)，創(chuàng)造性地把三項(xiàng)專為提高處理器對(duì)數(shù)據(jù)的操作效率而設(shè)計(jì)的技術(shù)融合在一起。這三項(xiàng)技術(shù)是多路分流預(yù)測(cè)、數(shù)據(jù)流量分析和猜測(cè)執(zhí)行。動(dòng)態(tài)處理并不是簡(jiǎn)單執(zhí)行一串指令，而是通過(guò)操作數(shù)據(jù)來(lái)提高處理器的工作效率。動(dòng)態(tài)處理包括了棗 1、多路分流預(yù)測(cè)：通過(guò)幾個(gè)分支對(duì)程序流向進(jìn)行預(yù)測(cè)，采用多路分流預(yù)測(cè)算法后，處理器便可參與指令流向的跳轉(zhuǎn)。它預(yù)測(cè)下一條指令在內(nèi)存中位置的精確度可以達(dá)到驚人的 90%以上。這是因?yàn)樘幚砥髟谌≈噶顣r(shí),還會(huì)在程序中尋找未來(lái)要執(zhí)行的指令。這個(gè)技術(shù)可加速向處理器傳送任務(wù)。2、數(shù)據(jù)流量分析：拋開(kāi)原程序的順序，分析并重排指令，優(yōu)化執(zhí)行順序：處理器讀取經(jīng)過(guò)解碼的軟件指令，判斷該指令能否處理或是否需與其它指令一道處理。然后，處理器再?zèng)Q定如何優(yōu)化執(zhí)行順序以便高效地處理和執(zhí)行指令。3、猜測(cè)執(zhí)行：通過(guò)提前判讀并執(zhí)行有可能需要的程序指令的方式提高執(zhí)行速度：當(dāng)處理器執(zhí)行指令時(shí)(每次五條)，采用的是"猜測(cè)執(zhí)行"的方法。這樣可使奔騰 II 處理器超級(jí)處理能力得到充分的發(fā)揮，從而提升軟件性能。被處理的軟件指令是建立在猜測(cè)分支基礎(chǔ)之上，因此結(jié)果也就作為"預(yù)測(cè)結(jié)果"保留起來(lái)。一旦其最終狀態(tài)能被確定，指令便可返回到其正常順序并保持永久的機(jī)器狀態(tài)。

內(nèi)存知識(shí)以及游戲內(nèi)存需求分析

什么是補(bǔ)位？

以一個(gè)顆粒是 8 位的內(nèi)存來(lái)說(shuō)，單個(gè)顆粒的位是 8 位。但由于某些顆粒不良，內(nèi)部壞了 4 個(gè)位，但是另外 4 個(gè)位還可以利用。如果用這種顆粒做一條 64 位的內(nèi)存，那么正常的 8 顆 IC 是不夠的，必需是16 顆才夠。其原理是用正面 IC 的 4 個(gè)好位去與反面的 IC 的 4 個(gè)好位，互相補(bǔ)成 8 個(gè)位。再用特殊的底板將好的位共在一起用，這就叫補(bǔ)位。這種 IC 也叫降級(jí) IC。用補(bǔ)位的方式產(chǎn)生的內(nèi)存也可以稱為補(bǔ)位內(nèi)存條。

有關(guān)內(nèi)存等級(jí)：

等級(jí)直接是指能得到的最大帶寬，而間接指內(nèi)存時(shí)鐘速度。例如，PC2100 擁有 2.1GB/S 的最大傳輸速度，和 133MH z 的時(shí)鐘速度。作為另一個(gè)例子的 PC4000，具有 4GB/S 的理想傳輸速度和 250MHz的時(shí)鐘。要從 PCXXXX 等級(jí)中獲得 時(shí)鐘速度，把等級(jí)除以 16 就行了。把速度等級(jí)乘上 16 就得到了帶寬等級(jí)。

有關(guān)內(nèi)存時(shí)鐘速度：

DDR XXX 正好是實(shí)際時(shí)鐘速度的兩倍；也就是說(shuō)，DDR 400 是設(shè)定在 200MHz 下的。如果想要知道 DDR XXX 速度的 PC-XXXX 速度，把它乘上 8 就行了。根據(jù)廠商生產(chǎn)的定義分類。希望對(duì)選購(gòu)有幫助。謹(jǐn)供參考：

一、 普通型：

符合標(biāo)稱、多為散裝貨（并不是沒(méi)有包裝）、一般為低端型號(hào)（使用原料相對(duì)成本低廉）

二、 類超頻型：

使用了體質(zhì)較好的顆粒（也有的是挑選過(guò)的）、加少許電壓能穩(wěn)定工作在一定的頻率上(一般情況不會(huì)燒毀）、

生產(chǎn)和包裝推廣上增加了成本。

三、 游戲型：

顆粒能在一些苛刻的條件下穩(wěn)定工作的、控制芯片（清空和進(jìn)駐的時(shí)間減少）、 成本增加（一定會(huì)提高）

例如：

金士頓的分類：KTC 系統(tǒng)指定內(nèi)存 HyperX 玩家內(nèi)存 KVR 通用內(nèi)存芝奇的分級(jí)是這樣的，首先分等，依次是 G]H]P]N，每一等再分為五個(gè)級(jí)別 Z]A]K]Q]J。 PK 就表示是P 級(jí) K 等的內(nèi)存，屬于中端，HZ 則屬于較高端。威剛的分類：紅色威龍系列是高端，易超頻，帶散熱片，外觀漂亮。萬(wàn)紫千紅系列是低端，但是兼容性好，便宜，性價(jià)比高。

所謂一看品牌，指的是盡量購(gòu)買一線品牌的產(chǎn)品，內(nèi)存條如威剛、金士頓等國(guó)際大廠的產(chǎn)品。閃存產(chǎn)品如朗科、SanDisk 等品牌。這樣的品牌一般綜合素質(zhì)過(guò)硬，可以確保消費(fèi)者無(wú)憂購(gòu)買。而相應(yīng)的，一些二三線品牌、雜牌，消費(fèi)者在不是很了解的情況下盡量不要選購(gòu)。所謂二看品質(zhì)，指的是在購(gòu)買時(shí)可以適當(dāng)?shù)牧私庀庐a(chǎn)品的功能素質(zhì)。如包裝上有無(wú)"超穩(wěn)定"標(biāo)識(shí)，閃存盤使用注重?cái)?shù)據(jù)穩(wěn)定安全，如無(wú)"超穩(wěn)定"標(biāo)識(shí)則易藏隱患。再比如現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)一下容量，以免誤購(gòu)縮水閃存盤。內(nèi)存條則要看 PCB 板做工是否精細(xì)，IC 顆粒是否被打磨，標(biāo)稱速度是否達(dá)標(biāo)等指標(biāo)。內(nèi)存與主板不兼容的故障較為常見(jiàn)，表現(xiàn)為昨天電腦還用的好好的，可是今天早晨一開(kāi)機(jī)，即"嘀嘀"地叫個(gè)不停。只有打開(kāi)機(jī)箱，把內(nèi)存條取下來(lái)重新插一下就好了。注意：在拔插內(nèi)存條時(shí)一定要拔掉主機(jī)和電源線，防止意外燒毀內(nèi)存。這是故障輕的，嚴(yán)重的話，需要把幾個(gè)內(nèi)存插槽都擦拭好幾遍，才能把機(jī)子點(diǎn)亮?？墒怯貌涣耸彀雮€(gè)月，就又會(huì)再出現(xiàn)報(bào)警的情況。只要你打開(kāi)機(jī)箱把內(nèi)存插一下就又好了。你說(shuō)機(jī)器有問(wèn)題，只要點(diǎn)亮了，就是連續(xù)運(yùn)行十天半個(gè)月的一點(diǎn)問(wèn)題也沒(méi)有?？衫鲜菆?bào)警這誰(shuí)也受不了。這種情況就是典型的內(nèi)存與主板不兼容。

造成這種故障的原因有：

⑴ 內(nèi)存條不規(guī)范，內(nèi)存條有點(diǎn)薄。當(dāng)內(nèi)存插入內(nèi)存插槽時(shí)，留有一定的縫隙。如果在使用過(guò)程中有振動(dòng)或灰塵落入，就會(huì)造成內(nèi)存接觸不良，產(chǎn)生報(bào)警。

⑵ 內(nèi)存條的金手指工藝差，金手指的表面鍍金不良。在長(zhǎng)時(shí)間的使用過(guò)程中，金手指表面的氧化層逐漸增厚，積累到一定程度后，就會(huì)致使內(nèi)存接觸不良，開(kāi)機(jī)時(shí)內(nèi)存報(bào)警。

⑶ 內(nèi)存插槽質(zhì)量低劣，簧片與內(nèi)存條的金手指接觸不實(shí)在，在使用過(guò)程中始終存在著隱患，在一定的時(shí)間就會(huì)點(diǎn)不亮，開(kāi)機(jī)報(bào)警。

⑷ 再就是純粹的不兼容情況:一款條子，在有的主板上用得好好的，但是到了這塊主板上卻經(jīng)常死機(jī)，或者不能正常啟動(dòng)。這就是典型的不兼容情況。

處理方案：

⑴ 用橡皮仔細(xì)地把內(nèi)存條的金手指擦干凈，重新插入插槽。

⑵ 用熱熔膠把內(nèi)存插槽兩邊的縫隙填平，防止在使用過(guò)程中繼續(xù)氧化。

⑶ 如果使用一段時(shí)間以后，還出現(xiàn)報(bào)警，這時(shí)可先更換一下內(nèi)存條，看在以后的使用過(guò)程中是否還出現(xiàn)報(bào)警。

⑷ 如果過(guò)一段時(shí)間以后還有內(nèi)存報(bào)警出現(xiàn)，這時(shí)只有更換主板，才能徹底解決問(wèn)題。對(duì)于內(nèi)存條與主板因?yàn)榧夹g(shù)問(wèn)題不兼容的情況，只能更換其他品牌的內(nèi)存條，當(dāng)然也可以換主板。

一、用萬(wàn)用表測(cè)量?jī)?nèi)存芯片的方法

在主板與內(nèi)存的數(shù)據(jù)引腳是 64 個(gè)，D0-D63，為了保護(hù)內(nèi)存的數(shù)據(jù)位腳，在 D0-D63 這 64 個(gè)數(shù)據(jù)位腳都加有一個(gè)阻值不大的電阻（10 歐）起限流作用。而測(cè)試儀主要的原理是用程序重復(fù)測(cè)試內(nèi)存芯片的每個(gè)數(shù)據(jù)位引腳，看有沒(méi)有擊穿或短路的數(shù)據(jù)位引腳，還有就是芯片的時(shí)鐘引腳、地址引腳。所以用萬(wàn)用表測(cè)試芯片時(shí)也可用測(cè)試儀的方法來(lái)測(cè)，只要紅筆對(duì)地（1 腳），黑筆測(cè)量排陰阻的阻值，就是內(nèi)存芯片數(shù)據(jù)位的阻值來(lái)判斷是哪個(gè)芯片壞了，正常的話每個(gè)數(shù)據(jù)位阻值相同。但還是沒(méi)有測(cè)試儀那么直觀，用這種方法可測(cè)量 DDR 內(nèi)存芯片的好壞。

二、 用測(cè)試儀測(cè)量?jī)?nèi)存芯片方法

根據(jù)使用說(shuō)明書，測(cè)量的內(nèi)存在 2A、2B 這里，指單組和雙組的意思。但 16 位的芯片有 8 個(gè)，也相當(dāng)于是兩組，8 位的芯片有 16 個(gè)也相當(dāng)于兩組。2A 為第二組，2B 為第一組。測(cè)量時(shí)會(huì)循環(huán)測(cè)試每一組中的每一個(gè)芯片的數(shù)據(jù)位腳。一般測(cè)了 3 次—5 次沒(méi)壞就是好的。好的芯片為：PASS。壞的芯片就顯示出壞的數(shù)據(jù)位引腳。

1、 開(kāi)機(jī)跳不進(jìn)測(cè)試，一般有：芯片短路、PCB 板短路。解決方法為把芯片拆下來(lái)?yè)Q到好的 PCB 板上試芯片好壞，看是什么問(wèn)題。

2、 內(nèi)存測(cè)試儀不測(cè)試 SPD 芯片，SPD 芯片可有可無(wú)

3、 金手指燒了的話也不能測(cè)試，必須把芯片拆下?lián)Q到好的 PCB 板上試芯片好壞顯存頻率和內(nèi)存速度之間的關(guān)系是什么呢?顯存頻率是指默認(rèn)情況下，該顯存在顯卡上工作時(shí)的頻率，以 MHz（兆赫茲）為單位。顯存頻率一定程度上反應(yīng)著該顯存的速度。顯存頻率隨著顯存的類型、性能的不同而不同，SDRAM 顯存一般都工作在較低的頻率上，一般就是 133MHz 和 166MHz，此種頻率早已無(wú)法滿足現(xiàn)在顯卡的需求。DDR SDRAM顯存則能提供較高的顯存頻率，主要在中低端顯卡上使用，DDR2 顯存由于成本高并且性能一般，因此使用量不大。DDR3 顯存是目前高端顯卡采用最為廣泛的顯存類型。不同顯存能提供的顯存頻率也差異很大，主要有 400MHz、500MHz、600MHz、650MHz 等，高端產(chǎn)品中還有 800MHz、1200MHz、1600MHz，甚至更高。顯存頻率與顯存時(shí)鐘周期是相關(guān)的，二者成倒數(shù)關(guān)系，也就是顯存頻率＝1/顯存時(shí)鐘周期。如果是SDRAM 顯存，其時(shí)鐘周期為 6ns，那么它的顯存頻率就為 1/6ns=166 MHz。而對(duì)于 DDR SDRAM 或者 DDR2、DDR3，其時(shí)鐘周期為 6ns，那么它的顯存頻率就為 1/6ns=166 MHz，但要了解的是這是DDR SDRAM 的實(shí)際頻率，而不是我們平時(shí)所說(shuō)的 DDR 顯存頻率。因?yàn)?DDR 在時(shí)鐘上升期和下降期都進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，其一個(gè)周期傳輸兩次數(shù)據(jù)，相當(dāng)于 SDRAM 頻率的二倍。習(xí)慣上稱呼的 DDR 頻率是其等效頻率，是在其實(shí)際工作頻率上乘以 2，就得到了等效頻率。因此 6ns 的 DDR 顯存，其顯存頻率為1/6ns*2=333 MHz。具體情況可以看下邊關(guān)于各種顯存的介紹。但要明白的是顯卡制造時(shí)，廠商設(shè)定了顯存實(shí)際工作頻率，而實(shí)際工作頻率不一定等于顯存最大頻率。此類情況現(xiàn)在較為常見(jiàn)，如顯存最大能工作在 650 MHz，而制造時(shí)顯卡工作頻率被設(shè)定為 550 MHz，此時(shí)顯存就存在一定的超頻空間。這也就是目前廠商慣用的方法，顯卡以超頻為賣點(diǎn)。此外，用于顯卡的顯存，雖然和主板用的內(nèi)存同樣叫 DDR、DDR2 甚至 DDR3，但是由于規(guī)范參數(shù)差異較大，不能通用，因此也可以稱顯存為 GDDR、GDDR2、GDDR3我們都知道，在 PC 應(yīng)用領(lǐng)域，圖形處理、游戲和文字處理是最主要的任務(wù)。顯然，游戲和圖形處理是對(duì)內(nèi)存要求較高的任務(wù)，但即使在這兩方面，也不能一概而論地說(shuō)就要高性能的內(nèi)存。因?yàn)橛螒蛑幸卜旨磿r(shí)戰(zhàn)略和動(dòng)作射擊（很多 3D 化的 RPG 現(xiàn)在也可歸入此類了）兩大類，不同的游戲?qū)ο到y(tǒng)的要求是不一樣的，當(dāng)然裝機(jī)配內(nèi)存的時(shí)候就不能一刀切了。

3D 動(dòng)作類游戲

3D 動(dòng)作類最典型的代表是 CS 與極品飛車等游戲，這些游戲除了對(duì)顯卡要求高外，對(duì)內(nèi)存的帶寬和瞬間的數(shù)據(jù)吞吐能力要求也是很高的。因?yàn)槎鄶?shù)人用的顯卡都是 64MB 顯存或以下的，AGP 顯卡借用系統(tǒng)內(nèi)存是不可避免的；即使是具有 128MB 顯存的顯卡，也不可能完全包辦大型 3D 游戲產(chǎn)生的數(shù)據(jù)需求。越復(fù)雜越絢麗的場(chǎng)景，對(duì)內(nèi)存的要求就越高。例如 CS 里的煙霧 dan 投擲后、水里行進(jìn)的光線折射，飛車?yán)锏能嚸尜|(zhì)感、尾氣煙塵的效果等等，都需要在瞬間傳送大量的數(shù)據(jù)，渲染多個(gè)三角形，所以對(duì)速度是很敏感的。如果內(nèi)存提供的帶寬不夠高，在一些如多人混戰(zhàn)、多輛車子搶道、撞車等場(chǎng)景，就可能出現(xiàn)暫時(shí)的停滯感，玩起來(lái)當(dāng)然很不爽了。不過(guò)，這類游戲總體上的數(shù)據(jù)量卻不算很多——因?yàn)榧ち覍?duì)抗的場(chǎng)景不是時(shí)時(shí)都有，有時(shí)游戲中的單位死亡了，停止活動(dòng)了，數(shù)據(jù)傳輸量也會(huì)減少——這種游戲，應(yīng)該搭配性能指標(biāo)高的內(nèi)存。256MB 的 DDR266/333 往往會(huì)比 512MB 的 SDRAM 效果好。

即時(shí)戰(zhàn)略類游戲

魔獸 3 是最近最火爆的游戲之一，這是一個(gè) 3D 化的即時(shí)戰(zhàn)略游戲。盡管采用了 3D 的界面，這個(gè)游戲需要渲染的三角形卻不算多，一塊 32MB 的顯卡基本上就可勝任了（當(dāng)然如果把游戲調(diào)為高分辨率、高色深的話還是需要 64MB 的顯存才能跑得順）。這個(gè)游戲?qū)?nèi)存的胃口在于容量而不是帶寬指標(biāo)，因?yàn)檫@個(gè)游戲的單位是死亡后馬上又產(chǎn)生新的單位補(bǔ)充，除非玩家游戲資金耗盡被消滅，否則單位只會(huì)越來(lái)越多。到后期大家基本上都是滿員的 90 人口，每個(gè)單位都要占用一定量的內(nèi)存，4 家以上對(duì)戰(zhàn)的話，系統(tǒng)的負(fù)荷是相當(dāng)大的，容量少于 256MB 的時(shí)候，可以明顯感覺(jué)到游戲的停滯。尤其是多個(gè)單位施放魔法的時(shí)候，光影效果更復(fù)雜，低容量?jī)?nèi)存配置的系統(tǒng)，基本就沒(méi)法玩了。例如有人裝的是高端 Pentium 4+128MBRDRAM 機(jī)型，玩魔獸 3 將是很痛苦的。一般來(lái)說(shuō)，這種游戲至少要 256MB 內(nèi)存才會(huì)流暢，512MB 的SDRAM，在這里會(huì)比 256MB 的 DDR 或 RDRAM 顯出優(yōu)勢(shì)來(lái)。

總的來(lái)說(shuō)，內(nèi)存大的時(shí)候，讀取和存檔速度會(huì)快點(diǎn)；游戲的峰值數(shù)據(jù)傳輸，就要靠?jī)?nèi)存的最高帶寬了。因此容量與性能的均衡，還要看你的具體要求和內(nèi)存的合理搭配了。

內(nèi)存，PC 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)交換的關(guān)鍵所在，動(dòng)品質(zhì)一發(fā)而動(dòng)全 PC 系統(tǒng)，要想鑒別真正的高品質(zhì)內(nèi)存，要盡量往小處看，往細(xì)微之處深究。在市面上的內(nèi)存條品種不少，但真正考量，內(nèi)存其實(shí)并不一般。內(nèi)存顆粒的優(yōu)劣和內(nèi)存基板層數(shù)是決定內(nèi)存質(zhì)量的重要因素，但品牌因素也不可忽視。大牌廠商生產(chǎn)的品牌內(nèi)存一般比同級(jí)非品牌內(nèi)存質(zhì)量高，即便是所用的 DRAM 芯片相同，內(nèi)存基板相同，甚至外觀也一模一樣。

1.PCB 層數(shù)

DIMM 內(nèi)存一般有 4 層印制基板(PCB)和 6 層印制基板之分。一般來(lái)說(shuō)，6 層的比 4 層的抗干擾性強(qiáng)，當(dāng)然內(nèi)存的品質(zhì)還與所用的內(nèi)存顆粒等因素有關(guān)。要區(qū)分內(nèi)存用的是 4 層基板還是 6 層基板，單從外表來(lái)看是很困難的。一般說(shuō)來(lái)，4 層基板比 6 層基板薄。

2.基板信號(hào)線

我們還可以從基板表面信號(hào)線的多少來(lái)判斷。將內(nèi)存基板有 SPD 芯片的一面朝上，觀察內(nèi)存顆粒間的信號(hào)線。信號(hào)線比較多的是 4 層基板，反之信號(hào)線少的則是 6 層基板。這是因?yàn)樵诓捎?6 層基板的內(nèi)存條上，許多信號(hào)線都位于內(nèi)部的布線層上，而不需要在表面層引出。

3.SPD 信息

SPD 是英文 Serial Presence Detect 的縮寫。它指的是內(nèi)存條上一個(gè)較小的 EEPROM 器件以及它里邊記錄的數(shù)據(jù)。SPD 里面的數(shù)據(jù)有 128Byte，包括容量、組成結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)以及廠家信息等。開(kāi)機(jī)自檢時(shí) BIOS 要參考 SPD 信息對(duì)內(nèi)存進(jìn)行初始化。很多非品牌內(nèi)存中 SPD 內(nèi)容很簡(jiǎn)單甚至很多信息均為空白，可見(jiàn)由 SPD 的設(shè)置情況也能判斷內(nèi)存的質(zhì)量。

4.金手指工藝

金手指實(shí)際是在一層銅皮（也叫覆銅板）上通過(guò)特殊工藝再覆上一層金，因?yàn)榻鸩灰妆谎趸?，超?qiáng)的導(dǎo)通性。內(nèi)存處理單元的所有數(shù)據(jù)流、電子流正是通過(guò)金手指與內(nèi)存插槽的接觸與 PC 系統(tǒng)進(jìn)行交換，是內(nèi)存的輸出輸入端口，因此其工藝則顯得相當(dāng)重要，同時(shí)要耗費(fèi)一定量的貴重金屬——黃金，是內(nèi)存成本的敏感部分。金手指的金層大致有兩種工藝標(biāo)準(zhǔn)：化學(xué)沉金和電鍍金。在目前市面銷售的絕大多數(shù)內(nèi)存的金手指金層都是采取化學(xué)沉金，化學(xué)沉金的金層的厚度一般在 3-5 微米，很薄，很多優(yōu)質(zhì)內(nèi)存的可能達(dá)到 6 微米，但因工藝限制，最后金層也不會(huì)超過(guò) 10 微米。這層薄金在安裝過(guò)程與插槽很容易因磨擦而脫落，受損后的金層裸露在空氣中，日積月累，特別是電流和高溫的作用下，很容易在空氣中被氧化，氧化層形成并不斷擴(kuò)展，而氧化物的導(dǎo)電性很差，從而造成數(shù)據(jù)流、電子流的不正常傳輸，自然系統(tǒng)的穩(wěn)定性降低。另一種成金方式，是電鍍金。電鍍金是在含金電解液中的正極凝集，只要保證正負(fù)極存在，金的積淀就會(huì)持續(xù)下去，原理上金層厚度可以無(wú)限。金層厚度增加，在使用中能有效抗摩擦破損，防止氧化層產(chǎn)生，保證金手指與接觸部位的良好導(dǎo)通性，因此這項(xiàng)奢侈工藝對(duì)系統(tǒng)穩(wěn)定性非常有益。

5.PCB 板工藝

DRAM 和很多輔助元件、集成電路都在小小的一塊 PCB 板上，PCB 的質(zhì)量?jī)?yōu)劣對(duì)整塊內(nèi)存的影響可見(jiàn)一斑。那么決定 PCB 質(zhì)量?jī)?yōu)劣的因素主要有哪些呢？銅皮層數(shù)（也即 PCB 板層數(shù)）、銅皮質(zhì)量是關(guān)鍵。銅皮層數(shù)（也即 PCB 板層數(shù)）越多，電子線路的布線空間會(huì)更大，密密麻麻的線路將能得到最優(yōu)化的布局，這就能有效的減少電磁干擾和不穩(wěn)定因素。在運(yùn)行過(guò)程中，伴隨內(nèi)存高速的數(shù)據(jù)交換存在強(qiáng)大的電子流，形成電子噪音，如果層數(shù)的增多，相應(yīng)電磁屏蔽的效果就會(huì)更明顯，這就進(jìn)一步加強(qiáng)了穩(wěn)定性。因此，6層 PCB 在其他方面都相同的前提下，肯定要比 4 層 PCB 穩(wěn)定的多。

6.焊接工藝

焊接工藝在品質(zhì)方面起到至關(guān)重要的作用。焊接工藝中，焊錫的質(zhì)量是重要因素。錫熔點(diǎn)低、不易腐蝕，是優(yōu)良的焊接劑。但是錫也分等級(jí)，高等級(jí)錫在純度、配比、錫球數(shù)量和大小以及相應(yīng)的熔點(diǎn)溫度上都表現(xiàn)不俗，值得一提的是錫球，錫在經(jīng)過(guò)提純后會(huì)經(jīng)過(guò)特殊粉碎工藝將塊狀錫磨成極細(xì)小的錫球，再將錫球根據(jù)需要熔鑄成各種形狀，例如焊條等。在回爐焊中，錫球越細(xì)就越容易吸收熱量，融化的更透徹，自然焊接就越緊密，不會(huì)出現(xiàn)虛焊現(xiàn)象。眾所周知，真正在焊接時(shí)采用的并非純錫，為了保障焊接速度和質(zhì)量需添加助焊劑（一般為液態(tài)松香）和凝固力較好的鉛等重金屬，嚴(yán)格按照一定配比在雙轉(zhuǎn)向離心攪拌機(jī)中充分?jǐn)嚢杈鶆?，焊接的每一個(gè)環(huán)節(jié)都細(xì)致入微，分分見(jiàn)真功，很多高品質(zhì)內(nèi)存都始終從點(diǎn)滴入手，才能做出精品的！

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