一、前言

開關(guān)電源、組件選擇、拓?fù)溥x擇、PCB設(shè)計(jì)板、最終測試調(diào)試優(yōu)化、流程需要經(jīng)歷很多經(jīng)驗(yàn)，需要測試相關(guān)波形，以確保所選組件的剩余量充足。例如，在反擊式開關(guān)電源的情況下，開關(guān)管的GS電壓不僅與變壓器繞組有關(guān)，還與輸入電壓有關(guān)，測試開關(guān)電源相關(guān)的波形。

但是，對于非芯片配置開關(guān)反激電源，選擇MOS開關(guān)管尤為重要。不僅要考慮GS兩端電壓，還要考慮散熱等問題。那么，設(shè)計(jì)時(shí)需要注意GS波形的地方是什么？

二、MOS管GS波形分析

開關(guān)電源驅(qū)動管一般是MOS管，內(nèi)壓一般在600V到700V左右，無論是集成開關(guān)芯片還是單個(gè)MOS管驅(qū)動，驅(qū)動MOS管的波形基本上都是PWM信號。下圖左邊，這是芯片驅(qū)動的典型信號，但如果用示波器測量MOS管GS的兩端波形，可能會出現(xiàn)一定程度。

讓我們直接看一下開關(guān)電源的主控制部分。Q1是開關(guān)管，R4是驅(qū)動電阻。

首先看一下MOS管的等效電路，可以發(fā)現(xiàn)GS和DS之間存在寄生電容。

因此，在實(shí)際電路中，驅(qū)動MOS管必須考慮自身的存在，即寄生電容C，PCB線也加上寄生電感L和同宿阻抗構(gòu)成的等效電阻，從而產(chǎn)生RLC振蕩。

綜合各種因素，在實(shí)際反擊式開關(guān)電源上測試GS兩端電壓波形時(shí)，可能會出現(xiàn)以下波形。讓我們看看紅色圓圈的波形。其實(shí)這是輸入電壓變壓器二次反射電壓泄漏感峰值電壓各種寄生容量等電壓的綜合表達(dá)結(jié)果，所以在選擇MOS管或開關(guān)集成芯片時(shí)，開關(guān)管的耐壓值要根據(jù)GS電壓來決定是否有足夠的余量。