雖然量子計算機(jī)的概念很有吸引力，但不得不承認(rèn)，它不可能在短時間內(nèi)投入實際應(yīng)用。目前，除了越來越多的CPU內(nèi)核之外，高速存儲介質(zhì)的發(fā)展正引領(lǐng)著計算機(jī)性能的飛躍。

高速存儲可以概括為兩種，一種是更快的緩存，另一種是容量更大的存儲級內(nèi)存。它們的共同特點是斷電后不丟失數(shù)據(jù)。也就是說，傳統(tǒng)意義上的“運(yùn)行記憶”會越來越像我們過去所說的“外部記憶”。

最近，英特爾宣布了STT-MRAM技術(shù)對CPU四級緩存的研究進(jìn)展。分類，屬于更快的緩存。目前原型產(chǎn)品的容量為2MB，無論是耐用性還是誤碼率，都可以滿足作為片上L4緩存使用的要求。

2MB STT-MRAM原型產(chǎn)品的寫入延遲為20ns，讀取延遲為4ns，在110度時可以維持1秒的內(nèi)存，對于頻繁交換數(shù)據(jù)的CPU緩存來說已經(jīng)足夠長了。如果這項技術(shù)能夠付諸實踐，英特爾CPU也許能夠在制造工藝落后的情況下找到新的性能增長點。

英特爾的重點是使用新的存儲技術(shù)來提高CPU性能。東芝作為閃存的發(fā)明者，將注意力轉(zhuǎn)向了新的高速閃存XL-Flash，它發(fā)展更快，可以部分替代內(nèi)存的功能。

XL-Flash是一款經(jīng)過神奇變化優(yōu)化的3D SLC閃存。NAND閃存本身具有斷電不損耗的特點。東芝通過使用SLC格式和優(yōu)化4K頁面和16-Plane架構(gòu)，極大地提高了其隨機(jī)讀寫性能，使其更接近內(nèi)存使用。

目前，與非門閃存和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器之間的性能差距仍然很大，甚至像東芝RD500這樣的旗艦NVMe固態(tài)硬盤也無法與內(nèi)存磁盤在性能上競爭。

但是在2020年XL-Flash量產(chǎn)后，我們可能會看到完全不同的新情況。

除了存儲內(nèi)存應(yīng)用，東芝還計劃將XL-閃存與3D QLC閃存結(jié)合使用，以整合前者的高性能和后者的大容量優(yōu)勢。

當(dāng)然，在高新技術(shù)出現(xiàn)之初，必須基于企業(yè)級應(yīng)用。存儲極客推薦東芝最近推出的RC500 NVMe SSD，作為普通玩家現(xiàn)在可以購買的選擇。作為主流機(jī)型，RC500完全繼承了旗艦RD500的DRAM緩存。PCMark 8的實際性能評分堪比三星970Evo Plus、Western Digital Black Disk等旗艦車型，價格也只是后者的60%左右。