CL反應時間是衡定內存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令后的反應速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的PC133內存標準中，這個數(shù)值規(guī)定為3，而在Intel重新制訂的新規(guī)范中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對于內存廠商的芯片及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優(yōu)秀的品質。因此在選購品牌內存時，這是一個不可不察的因素。

　　還有另的詮釋：內存延遲基本上可以解釋成是系統(tǒng)進入數(shù)據(jù)進行存取操作就緒狀態(tài)前等待內存響應的時間。

 

　　打個形象的比喻，就像你在餐館里用餐的過程一樣。你首先要點菜，然后就等待服務員給你上菜。同樣的道理，內存延遲時間設置的越短，電腦從內存中讀取數(shù)據(jù)的速度也就越快，進而電腦其他的性能也就越高。這條規(guī)則雙雙適用于基于英特爾以及AMD處理器的系統(tǒng)中。由于沒有比2-2-2-5更低的延遲，因此國際內存標準組織認為以現(xiàn)在的動態(tài)內存技術還無法實現(xiàn)0或者1的延遲。

　　通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯數(shù)字來表示一個內存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency,也就是內存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間。第二個數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個。