硅是化學元素，化學符號是Si，是以前的硅。原子序數(shù)14，相對原子質量28.0855，有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體，屬于元素周期表的第三周期，IVA族的金屬元素。
硅也是極為常見的一種元素，然而它極少以單質的形式在自然界出現(xiàn)，而是以復雜的硅酸鹽或二氧化硅的形式，廣泛存在于巖石、砂礫、塵土之中。硅在宇宙中的儲量排在第八位。在地殼中，它是第二豐富的元素，構成地殼總質量的26.4%，僅次于第一位的氧（49.4%）。
發(fā)現(xiàn)簡史
1787年，拉瓦錫首次發(fā)現(xiàn)硅存在于巖石中。
1800年，戴維將其錯認為一種化合物。
1811年蓋-呂薩克和泰納爾（Thenard, Louis Jacques）加熱鉀和四氟化硅得到不純的無定形硅，根據(jù)拉丁文silex（燧石）命名為silicon。
1811年，Gay-Lussac和Thenard以矽（硅）的四氟化物與堿土金屬反應，發(fā)現(xiàn)在反應當中生成赤褐色的化合物（可能是含不純物無定形的矽）。
1823年，硅首次作為一種元素被永斯·雅各布·貝采利烏斯發(fā)現(xiàn)，并于一年后提煉出了無定形硅，其方法與蓋-呂薩克使用的方法大致相同。他隨后還用反復清洗的方法將單質硅提純。
1823年，Berzelius以氧化矽（硅）的粉末，加以鐵，碳的混和物在高溫下加熱，得到矽（硅）化鐵。但是為了抽取純的矽（硅），他使用矽（硅）-氟-鈣的化合物，干燒之后得到的固體，加水分解得到純的矽（硅）。
發(fā)現(xiàn)硅的榮譽歸屬于瑞典化學家J?ns Jacob Berzelius，在斯德哥爾摩（瑞典首都）于1824年，他通過加熱氟硅酸鉀和鉀獲取了硅。這個產(chǎn)物被硅酸鉀污染，但他把它放在水中攪拌，會與之反應，因此得到了相對純凈的硅粉末。
1824年永斯·雅各布·貝采利烏斯用同樣的方法，但經(jīng)過反復洗滌除去其中的氟硅酸，得到純無定形硅。
結晶性的矽則到了1854年才被提煉出來。矽（硅）的拉丁文是silicium，意為"堅硬之石"。
1854年H·S·C·德維爾第一次制得晶態(tài)硅。
單晶硅及拋光硅片
硅名稱的由來：英文silicon，來自拉丁文的silex，silicis，意思為燧石（火石）。 民國初期，學者原將此元素譯為“硅”而令其讀為“xi（圭旁確可讀xi音）”（又，“硅”字本為“砉”字之異體，讀huo）。然而在當時的時空下，由于拼音方案尚未推廣普及，一般大眾多誤讀為gui。由于化學元素譯詞除中國原有命名者，多用音譯，化學學會注意到此問題，于是又創(chuàng) “矽”字避免誤讀。臺灣沿用“矽”字至今。中國大陸在1953年2月，中國科學院召開了一次全國性的化學物質命名擴大座談會，有學者以“矽”與另外的化學元素“錫”和“硒”同音易混淆為由，通過并公布改回原名字“硅”并讀“gui”，但并未意識到其實“硅”字本亦應讀xi音。有趣的是，矽肺與矽鋼片等詞匯至今仍用矽字。在香港，兩用法皆有，但“矽”較通用。
礦藏分布
硅的豐度，引起早期化學家的興趣。矽（硅）在地球表面的含量僅次于氧，占有將近28%.但是矽（硅）元素并非最早被發(fā)現(xiàn)的元素，那是因為從矽（硅）的氧化物中要將矽還原出來是一件非常困難的事。
硅約占地殼總重量的25.7%，僅次于氧。在自然界中，硅通常以含氧化合物形式存在，其中最簡單的是硅和氧的化合物硅石SiO2。石英、水晶等是純硅石的變體。礦石和巖石中的硅氧化合物統(tǒng)稱硅酸鹽，較重要的有長石KAlSi3O8、高嶺土Al2Si2O5(OH)4、滑石Mg3(Si4O10)(OH)2、云母KAl2(AlSi3O10)(OH)2、石棉H4Mg3Si2O9、鈉沸石Na2(Al2Si3O10)·2H2O、石榴石Ca3Al2(SiO4)3、鋯石英ZrSiO4和綠柱石Be3Al2Si6O18等。土壤、黏土和砂子是天然硅酸鹽巖石風化后的產(chǎn)物。
硅在自然界分布很廣，在地殼中的原子百分含量為16.7%。是組成巖石礦物的一個基本元素，以石英砂和硅酸鹽出現(xiàn)。
硅在地殼中的含量是除氧外最多的元素。如果說碳是組成一切有機生命的基礎，那么硅對于地殼來說，占有同樣的位置，因為地殼的主要部分都是由含硅的巖石層構成的。這些巖石幾乎全部是由硅石和各種硅酸鹽組成。長石、云母、黏土、橄欖石、角閃石等等都是硅酸鹽類；水晶、瑪瑙、碧石、蛋白石、石英、砂子以及燧石等等都是硅石。
理化性質
物理性質
硅原子結構三維圖
有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體。晶體硅為灰黑色，無定形硅為黑色，密度2.32-2.34g/cm3，熔點1410℃，沸點2355℃，晶體硅屬于原子晶體。不溶于水、硝酸和鹽酸，溶于氫氟酸和堿液。硬而有金屬光澤。
系列 | 類金屬 |
族 | ⅣA族 |
周期 | 3 |
元素分區(qū) | p區(qū) |
常見化合價 | -4，+4 |
硬度 | 6.5 |
地殼含量 | 25.7% |
彈性模量 | 190GPa |
密度 | 2.33g/cm3（18℃） |
熔點 | 1687K（1414℃） |
沸點 | 3173K（2900℃） |
摩爾體積 | 12.06×10-6 m3/mol |
汽化熱 | 384.22 kJ/mol |
熔化熱 | 50.55 kJ/mol |
蒸氣壓 | 4.77Pa（1683K） |
間接帶隙 | 1.1 eV （室溫） |
電導率 | 2.52×10-4/（米歐姆） |
電負性 | 1.90（鮑林標度） |
比熱 | 700 J/（kg·K） |
原子核外電子排布：1s22s22p? 3s23p2
晶胞類型：立方金剛石型；
晶胞參數(shù)：20℃下測得其晶胞參數(shù)a=0.543087nm；
顏色和外表： 深灰色、帶藍色調；
采用納米壓入法測得單晶硅（100）的E為140～150GPa；
電導率：硅的電導率與其溫度有很大關系，隨著溫度升高，電導率增大，在1480℃左右達到最大，而溫度超過1600℃后又隨溫度的升高而減小。
電負性 | 1.90（鮑林標度） |
熱導率 | 148 W/（m·K） |
第一電離能 | 786.5 kJ/mol |
第二電離能 | 1577.1 kJ/mol |
第三電離能 | 3231.6 kJ/mol |
第四電離能 | 4355.5 kJ/mol |
第五電離能 | 16091 kJ/mol |
第六電離能 | 19805 kJ/mol |
第七電離能 | 23780 kJ/mol |
第八電離能 | 29287 kJ/mol |
第九電離能 | 33878 kJ/mol |
第十電離能 | 38726 kJ/mol |
同位素：
符號 | Z（p） | N（n） | 質量（u） | 半衰期 | 原子核自旋 | 相對豐度 | 相對豐度的變化量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
22Si | 14 | 8 | 22.03453(22)# | 29(2)ms | 0+ | ||
23Si | 14 | 9 | 23.02552(21)# | 42.3(4)ms | 3/2+# | ||
24Si | 14 | 10 | 24.011546(21) | 140(8)ms | 0+ | ||
25Si | 14 | 11 | 25.004106(11) | 220(3)ms | 5/2+ | ||
26Si | 14 | 12 | 25.992330(3) | 2.234(13)s | 0+ | ||
27Si | 14 | 13 | 26.98670491(16) | 4.16(2)s | 5/2+ | ||
28Si | 14 | 14 | 27.9769265325(19) | 穩(wěn)定 | 0+ | 0.92223(19) | 0.92205-0.92241 |
29Si | 14 | 15 | 28.976494700(22) | 穩(wěn)定 | 1/2+ | 0.04685(8) | 0.04678-0.04692 |
30Si | 14 | 16 | 29.97377017(3) | 穩(wěn)定 | 0+ | 0.03092(11) | 0.03082-0.03102 |
31Si | 14 | 17 | 30.97536323(4) | 157.3(3)min | 3/2+ | ||
32Si | 14 | 18 | 31.97414808(5) | 170(13)a | 0+ | ||
33Si | 14 | 19 | 32.978000(17) | 6.18(18)s | （3/2+） | ||
34Si | 14 | 20 | 33.978576(15） | 2.77(20) s | 0+ | ||
35Si | 14 | 21 | 34.98458(4) | 780(120) ms | 7/2-# | ||
36Si | 14 | 22 | 35.98660(13) | 0.45(6)s | 0+ | ||
37Si | 14 | 23 | 36.99294(18) | 90(60)ms | （7/2-）# | ||
38Si | 14 | 24 | 37.99563(15) | 90# ms | 0+ | ||
39Si | 14 | 25 | 39.00207(36) | 47.5(20) ms | 7/2-# | ||
40Si | 14 | 26 | 40.00587(60) | 33.0(10) ms | 0+ | ||
41Si | 14 | 27 | 41.01456(198) | 20.0(25) ms | 7/2-# | ||
42Si | 14 | 28 | 42.01979(54)# | 13(4) ms | 0+ | ||
43Si | 14 | 29 | 43.02866(75)# | 15# ms | 3/2-# | ||
44Si | 14 | 30 | 44.03526(86)# | 10# ms | 0+ |
備注：1.畫上#號的數(shù)據(jù)代表沒有經(jīng)過實驗的證明，只是理論推測而已，而用括號括起來的代表數(shù)據(jù)不確定性。
2.有三種天然的穩(wěn)定同位素Si-28（92.2%）、Si-29（4.7%）和Si-30（3.1%），還有質量數(shù)為25、26、27、31和32的人工放射性同位素。
3.硅（原子質量單位：28.0855，共有23種同位素，其中有3種同位素是穩(wěn)定的。
化學性質
硅有明顯的非金屬特性，可以溶于堿金屬氫氧化物溶液中，產(chǎn)生（偏）硅酸鹽和氫氣。
硅原子結構二維圖
硅原子位于元素周期表第IV主族，它的原子序數(shù)為Z=14，核外有14個電子。電子在原子核外，按能級由低硅原子到高，由里到外，層層環(huán)繞，這稱為電子的殼層結構。硅原子的核外電子第一層有2個電子，第二層有8個電子，達到穩(wěn)定態(tài)。最外層有4個電子即為價電子，它對硅原子的導電性等方面起著主導作用。
正因為硅原子有如此結構，所以有其一些特殊的性質：最外層的4個價電子讓硅原子處于亞穩(wěn)定結構，這些價電子使硅原子相互之間以共價鍵結合，由于共價鍵比較結實，硅具有較高的熔點和密度；化學性質比較穩(wěn)定，常溫下很難與其他物質（除氟化氫和堿液以外）發(fā)生反應；硅晶體中沒有明顯的自由電子，能導電，但導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導體性質。
加熱下能同單質的鹵素、氮、碳等非金屬作用，也能同某些金屬如Mg、Ca、Fe、Pt等作用。生成硅化物。不溶于一般無機酸中，可溶于堿溶液中，并有氫氣放出，形成相應的堿金屬硅酸鹽溶液，于赤熱溫度下，與水蒸氣能發(fā)生作用。
分類：純凈物、單質、非金屬單質。
（1）與單質反應
（2）高溫真空條件下可以與某些氧化物反應
（3）與酸反應：只與氫氟酸反應
（4）與堿反應
注意：硅、鋁是既能和酸反應，又能和堿反應，放出氫氣的單質。
相關方程式：
相關化合物：
二氧化硅、硅膠、硅酸鹽、硅酸、原硅酸、硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷、
原子屬性：
原子量：28.0855u；
原子核虧損質量：0.1455u；
原子半徑：（計算值）110(111) pm；
共價半徑：111 pm；
范德華半徑：210 pm；
外圍電子層排布：3s23p2；
電子在每個能級的排布：2,8,4
電子層：K-L-M；
氧化性（氧化物）：4（兩性的）。
制取方法
硅的制取裝置
實驗室里可用鎂粉在赤熱下還原粉狀二氧化硅，用稀酸洗去生成的氧化鎂和鎂粉，再用氫氟酸洗去未作用的二氧化硅，即得單質硅。這種方法制得的都是不夠純凈的無定形硅，為棕黑色粉末。工業(yè)上生產(chǎn)硅是在電弧爐中還原硅石（SiO2含量大于99%）。使用的還原劑為石油焦和木炭等。使用直流電弧爐時，能全部用石油焦代替木炭。石油焦的灰分低（0.3%～0.8%），采用質量高的硅石（SiO2大于99%），可直接煉出制造硅鋼片用的高質量硅。高純的半導體硅可在1200℃的熱硅棒上用氫氣還原高純的三氯氫硅SiHCl3或SiCl4制得。超純的單晶硅可通過直拉法或區(qū)域熔煉法等制備。
用鎂還原二氧化硅可得無定形硅。用碳在電爐中還原二氧化硅可得晶體硅。電子工業(yè)中用的高純硅則是用氫氣還原三氯氫硅或四氯化硅而制得。
應用領域
硅晶圓片
1、高純的單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導體；摻入微量的第VA族元素，形成n型半導體。p型半導體和n型半導體結合在一起形成p-n結，就可做成太陽能電池，將輻射能轉變?yōu)殡娔堋Ｔ陂_發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。另外廣泛應用的二極管、三極管、晶閘管、場效應管和各種集成電路（包括人們計算機內(nèi)的芯片和CPU）都是用硅做的原材料。
2、金屬陶瓷、宇宙航行的重要材料。將陶瓷和金屬混合燒結，制成金屬陶瓷復合材料，它耐高溫，富韌性，可以切割，既繼承了金屬和陶瓷的各自的優(yōu)點，又彌補了兩者的先天缺陷?？蓱糜谲娛挛淦鞯闹圃臁５谝患芎教祜w機“哥倫比亞號”能抵擋住高速穿行稠密大氣時摩擦產(chǎn)生的高溫，全靠它那三萬一千塊硅瓦拼砌成的外殼。
3、光導纖維通信，最新的現(xiàn)代通信手段。用純二氧化硅可以拉制出高透明度的玻璃纖維。激光可在玻璃纖維的通路里，發(fā)生無數(shù)次全反射而向前傳輸，代替了笨重的電纜。光纖通信容量高，一根頭發(fā)絲那么細的玻璃纖維，可以同時傳輸256路電話；而且它還不受電、磁的干擾，不怕竊聽，具有高度的保密性。光纖通信將會使21世紀人類的生活發(fā)生革命性巨變。
4、性能優(yōu)異的硅有機化合物。例如有機硅塑料是極好的防水涂布材料。在地下鐵道四壁噴涂有機硅，可以一勞永逸地解決滲水問題。在古文物、雕塑的外表，涂一層薄薄的有機硅塑料，可以防止青苔滋生，抵擋風吹雨淋和風化。天安門廣場上的人民英雄紀念碑，便是經(jīng)過有機硅塑料處理表面的，因此永遠潔白、清新。
5、由于有機硅獨特的結構，兼?zhèn)淞藷o機材料與有機材料的性能，具有表面張力低、粘溫系數(shù)小、壓縮性高、氣體滲透性高等基本性質，并具有耐高低溫、電氣絕緣、耐氧化穩(wěn)定性、耐候性、難燃、憎水、耐腐蝕、無毒無味以及生理惰性等優(yōu)異特性，廣泛應用于航空航天、電子電氣、建筑、運輸、化工、紡織、食品、輕工、醫(yī)療等行業(yè)，其中有機硅主要應用于密封、粘合、潤滑、涂層、表面活性、脫模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等。隨著有機硅數(shù)量和品種的持續(xù)增長，應用領域不斷拓寬，形成化工新材料界獨樹一幟的重要產(chǎn)品體系，許多品種是其他化學品無法替代而又必不可少的。
6、硅可以提高植物莖稈的硬度，增加害蟲取食和消化的難度。盡管硅元素在植物生長發(fā)育中不是必需元素，但它也是植物抵御逆境、調節(jié)植物與其他生物之間相互關系所必需的化學元素。
硅在提高植物對非生物和生物逆境抗性中的作用很大，如硅可以提高植物對干旱、鹽脅迫、紫外輻射以及病蟲害等的抗性。硅可以提高水稻對稻縱卷葉螟的抗性，施用硅后水稻對害蟲取食的防御反應迅速提高，硅對植物防御起到警備作用。
水稻在受到蟲害襲擊時，硅可以警備水稻迅速激活與抗逆性相關的茉莉酸途徑，茉莉酸信號反過來促進硅的吸收，硅與茉莉酸信號途徑相互作用影響著水稻對害蟲的抗性。
生理功能
單晶硅棒
硅是人體必需的微量元素之一。占體重的0.026%。硅及含硅的粉塵對人體最大的危害是引起矽肺。矽肺是嚴重的職業(yè)病之一，礦工、石材加工工人以及其他在含有硅粉塵場所的工人應采取必要的防護措施。
硅在結締組織、軟骨形成中硅是必需的，硅能將粘多糖互相連結，并將粘多糖結合到蛋白質上，形成纖維性結構，從而增加結締組織的彈性和強度，維持結構的完整性；硅參與骨的鈣化作用，在鈣化初始階段起作用，食物中的硅能增加鈣化的速度，尤其當鈣攝入量低時效果更為明顯；膠原中氨基酸約21%為羥脯氨酸，脯氨酰羥化酶使脯氨酸羥基化，此酶顯示最大活力時需要硅；通過對不同來源的膠原分析，結果顯示硅是膠原組成成分之一。
參考攝入量：由于沒有人體硅需要量的實驗資料，因此難以提出合適的人體每日硅的需求量，由動物實驗推算，硅若易吸收，每天人體的需要量可能為2～5mg。但膳食中大部分的硅不易被吸收，推薦攝入量每天約為5～10mg，可以認為每日攝入20～50mg是適宜的。
過量表現(xiàn)：高硅癥，高硅飲食的人群中曾發(fā)現(xiàn)局灶性腎小球腎炎，腎組織中含硅量明顯增高的個體。也有報道有人大量服用硅酸鎂（含硅抗酸劑）可能誘發(fā)人類的尿路結石。
硅肺病，經(jīng)呼吸道長期吸入大量含硅的粉塵，可引起矽肺。
硅單晶懸浮區(qū)熔爐
矽肺（silicosis）又稱硅肺，是塵肺中最為常見的一種類型，是由于長期吸入大量含有游離二氧化硅粉塵所引起，以肺部廣泛的結節(jié)性纖維化為主的疾病。矽肺病人由于兩肺發(fā)生廣泛性纖維組織增生肺組織的微血管循環(huán)受到障礙，抵抗力下降，因而容易合并其他疾病，導致病情惡化，甚至死亡。
不足表現(xiàn)：飼料中缺少硅可使動物生長遲緩、缺乏導致頭發(fā)、指甲易斷裂，皮膚失去光澤。動物試驗結果顯示，喂飼致動脈硬化飲料的同時補充硅，有利于保護動物的主動脈的結構。另外，已確定血管壁中硅含量與人和動物粥樣硬化程度呈反比。在心血管疾病長期發(fā)病率相差兩部的人群中，其飲用水中硅的含量也相差約兩倍，飲用水硅含量高的人群患病較少。
硅是一種非常安全的物質，本身不予免疫系統(tǒng)反應，也不會被細胞吞噬，更不會滋生細菌或與化學物質發(fā)生反應，同時還可以有針對皮膚傷口所開發(fā)生產(chǎn)的硅膠，可以用來保護傷口，是安全性非常高的材料，受各國衛(wèi)生機關許可使用。
常見謠言
謠言：在自然界中，硅都以含氧化合物形式存在。
駁斥：自然界存在天然的硅單質且早有報道，下為文獻報道節(jié)選
本文對自然硅進行了礦相學、礦物學研究。該礦物產(chǎn)于福建某地矽卡巖型硫、多金屬礦床中。自然硅呈亮灰銀白色、強金屬光澤。性脆。鏡下呈渾圓粒狀、乳滴狀。均質。實測比重d=2.368。硬度H_M=6.76。反射率 R 470nm 37.08;546nm 33.44;589nm 31.27;650nm 29.96。經(jīng)掃描電鏡能譜分析、電子探針分析,Si 99.87%～99.94%。
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