這是三星Xi安閃存芯片項目的二期投資，之前的一期投資是108億美元。二期工程總投資150億美元，一期投資約70億美元，二期投資80億美元。
早在2017年，三星就宣布將在未來三年內(nèi)向生產(chǎn)NAND閃存芯片的Xi安工廠投資70億美元。在此之前，三星還投資了108億美元在Xi的一個測試和包裝工廠。
據(jù)悉，該項目第二階段預(yù)計于2021年下半年完成。建成后，月產(chǎn)量增加13萬件，產(chǎn)值增加300億元。
據(jù)行業(yè)分析師稱，三星的投資正值全球內(nèi)存市場預(yù)計明年反彈之際。隨著中國5G網(wǎng)絡(luò)布局加快，對5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)的需求持續(xù)上升，明年全球內(nèi)存芯片市場將出現(xiàn)反彈，因此增加中國芯片廠商的投資是明智之舉。
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