與非門閃存在電子行業(yè)得到了廣泛的應(yīng)用。但生產(chǎn)過程中有壞塊，使用過程中壞塊增多。針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II測試儀的快速測試方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法能有效提高FLASH的整體空測試效率。此外，針對與非門閃存的關(guān)鍵時序參數(shù)，如tREA(讀取信號低電平至數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)，利用測試系統(tǒng)對器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?，完成與非門閃存的時序協(xié)調(diào)，從而滿足器件性能的測試要求。介紹了一種基于magnum測試儀的與非門閃存測試方法。

VDNF64G08RS50MS4V25-III模塊

VDNF64G08RS50MS4V25-III的結(jié)構(gòu)

VDNF 64g 08 RS 50 MS 4v 25-III NAND Flash存儲器采用疊層三維封裝工藝封裝，同型號塑料封裝芯片4個(型號:MT29F16G08ABABAWP-AITX:B，溫度等級:工業(yè)級-40 ~ 85℃，版本號:1612 WP 29f 8g 08 abeba AITX B 1-2，廠家:))模塊重量約6.7±0.5g..其主要特點(diǎn)如下:

總?cè)萘?64G位；

工作電壓:3.3V(典型值)，2.7~ 3.6V(量程值)；

數(shù)據(jù)寬度:8位；

頁面大小:(4K+224)字節(jié)；

塊大小:128頁=(512K+28K)字節(jié)；

區(qū)塊選擇容量:2048個區(qū)塊；

頁面閱讀操作:閱讀時間:25us(最大)；串行讀取時間:25ns(最小值)；

快寫周期時間:頁面編程時間:230us(典型值)；塊擦除時間:0.7毫秒(典型值)。

圖1 vdnf 64g 08 rs50m S4 v 25-iii示意框圖

圖2 vdnf 64g 08 rs50m S4 v 25-iii存儲基板內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖

VDNF64G08RS50MS4V25-III引腳描述

VDNF64G08RS50MS4V25-III存儲器采用SOP封裝工藝，整個芯片鍍金，可以大大增強(qiáng)芯片的抗干擾和抗輻射能力，有利于芯片在航空空航天等惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。

VDNF64G08RS50MS4V25-III內(nèi)存各引腳功能描述如下:

Vcc:+3.3v電源輸入端。濾波旁路電容應(yīng)盡可能靠近電源引腳，并直接接地；

VSS:接地引腳；

#CE0/#CE1/#CE2/#CE3:芯片選擇信號，在低電平有效時選擇芯片；

CLE:命令鎖存器，高電平有效；

ALE:數(shù)據(jù)鎖存器，高電平有效；

#WE:寫信號，低電平有效，對應(yīng)地址有效后兩個周期發(fā)生數(shù)據(jù)驗(yàn)證；

#RE:讀信號，低電平有效；

DQ0~DQ7:數(shù)據(jù)輸入/輸出引腳，地址輸入/輸出引腳；

#WP:寫保護(hù)。

VDNF64G08RS50MS4V25-III功能的操作

表1設(shè)備功能真值表

注:“H”代表高電平，“L”代表低電平，“X”代表任意狀態(tài)

VDNF64G08RS50MS4V25-III的電氣特性

vdnf 64g 08 rs50ms 4v 25-ⅲ電氣特性見表2:

表2:產(chǎn)品的電氣特性

表3:交流特性

VDNF64G08RS50MS4V25-III測試方案

在這種情況下，我們選擇了Teradyne公司的magnamii測試系統(tǒng)，對VDNF64G08RS50MS4V25-III的性能和功能進(jìn)行綜合評估。該器件的測試思路是典型的數(shù)字電路測試方法，即存儲器陣列的讀寫功能測試和電特性參數(shù)測試。

萬能二號測試系統(tǒng)介紹

Magnum II測試系統(tǒng)是上海Teradyne公司生產(chǎn)的自動記憶測試儀。它由主機(jī)和測試機(jī)箱組成。每個測試機(jī)箱包含五個現(xiàn)場組裝板，每個組裝板有128組測試通道，可用于連接DUT(被測設(shè)備)的引腳。這五個裝配板完全相互獨(dú)立，因此它們可以與多個裝配板結(jié)合，以測試具有更多引腳的產(chǎn)品。除了與主機(jī)通信的裝配板之外，測試機(jī)箱還包括系統(tǒng)電源、電源監(jiān)控板、冷卻風(fēng)扇、以太網(wǎng)集線器和測試板鎖定裝置。在使用Magnum II測試系統(tǒng)時，通過主機(jī)編程的方式對每個裝配板進(jìn)行配置，然后每個裝配板對DUT進(jìn)行一系列矢量測試，最后將測試結(jié)果打印在主機(jī)的UI界面上。

Magnum II測試系統(tǒng)具有強(qiáng)大的算法模塊APG(算法模式生成器)，可以生成各種測試程序，即測試模式，如棋盤測試程序、反棋盤測試程序、all 空之間的全1測試、all 空之間的全0測試、讀寫累積數(shù)測試、讀寫隨機(jī)數(shù)測試、對角線測試等。

使用Magnum II測試系統(tǒng)的測試方案

1)硬件設(shè)計(jì)

根據(jù)magnum II測試系統(tǒng)的測試通道配置規(guī)則，應(yīng)繪制VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試轉(zhuǎn)接板，并綜合考慮器件速度、工作電流、抗干擾等相關(guān)因素。

2)軟件設(shè)計(jì)

考慮到使用該模塊為設(shè)備提供勵磁信號的特殊性，我們使用magnum II系統(tǒng)專用編程語言和C++編程語言在VC++環(huán)境下調(diào)試測試程序，完成相應(yīng)的控制操作。具體實(shí)施步驟如下:

A.根據(jù)magnum II的標(biāo)準(zhǔn)編程方法，設(shè)置VDNF64G08RS50MS4V25-III的引腳分配、引腳加擾、引腳電子和時間設(shè)置。

B.確定順序表執(zhí)行順序，并編輯每組測試項(xiàng)目，即測試塊，它需要包括引腳電子器件、時間設(shè)置和funtest()函數(shù)，模式將用于funtest()函數(shù)。

C.使用magnum II測試系統(tǒng)的專用編程語言編輯模式，利用APG各模塊的功能編輯所需的算法指令，并編譯生成目標(biāo)代碼。

VDNF64G08RS50MS4V25-III功能測試

根據(jù)與非門閃存和其他存儲單元陣列的各種故障模型，例如，陣列中一個或多個單元的一個或多個位的卡在0或1故障、陣列中一個或多個單元的卡在開路故障、轉(zhuǎn)換故障、數(shù)據(jù)保持故障、狀態(tài)耦合故障等。，并且有很多相應(yīng)的算法來測試各種故障類型。本文采用了全零、全一、棋盤、反棋盤、累加和隨機(jī)數(shù)的測試算法。

APG簡介

APG是算法模式生成器的縮寫，它實(shí)際上是一臺簡單的計(jì)算機(jī)。它使用一種特殊的編程語言和編譯器來生成測試系統(tǒng)使用的目標(biāo)代碼。APG主要由兩個地址發(fā)生器(XALU和YALU)、一個數(shù)據(jù)發(fā)生器和一個時鐘選擇信號發(fā)生器組成。

一組地址生成器最多可以編輯24位的地址長度。結(jié)合兩個地址生成器，可以生成一系列的地址算法，比如遞增、遞減、全1輸出、全0(零輸出)等等。兩個地址的相關(guān)運(yùn)算包括加、減、或、與、異或等。這些尋址算法可以靈活地尋址器件的任何存儲單元，以滿足各種測試要求。

數(shù)據(jù)生成器最多可以編輯36位的數(shù)據(jù)長度。其功能包括加、減、或運(yùn)算(or)、與運(yùn)算(and)、異或(xor)等。它還可以與地址生成后臺功能(bckfen)結(jié)合使用，以生成所需的數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)?shù)刂窞槠鏀?shù)時，它將生成0xaa數(shù)據(jù)。當(dāng)?shù)刂肥恰?/p>

時鐘信號發(fā)生器可以編輯多達(dá)18個芯片選擇通道，并可以產(chǎn)生四種不同的波形，即脈沖有效，脈沖無效，電平有效和電平無效。

除了以上四個模塊，APG還包括pinfunc、count)、APG控制器(mar)等。使用magnum II專用編程語言，利用這些模塊的功能編輯所需的算法指令，可以對設(shè)備進(jìn)行功能測試。

vdnf 64g 08 rs50ms 4v 25-ⅲ電氣性能試驗(yàn)

對于NAND閃存器件，電氣測試內(nèi)容主要包括引腳連續(xù)性測試、引腳漏電流測試、電源引腳靜態(tài)電流測試(ICC1/ ICC2)、電源引腳動態(tài)電流測試(ICC3)、輸出高/低電平測試(voh/vol)、時序參數(shù)測試(TACC、TOE、TCE)。

1)介紹1)PMU

PMU是一個參數(shù)測量單元，可以被認(rèn)為是一個電壓表。它可以連接到任何設(shè)備引腳，通過強(qiáng)制電流或強(qiáng)制電壓測量電流來測量電壓，完成參數(shù)測量。當(dāng)PMU設(shè)置為強(qiáng)制電流模式時，一旦電流上升或下降，PMU緩沖器開始工作，可以輸出強(qiáng)制電流測量的電壓值。同樣，當(dāng)PMU設(shè)置為強(qiáng)制電壓模式時，PMU Buffer會驅(qū)動一個電平，然后就可以測量相應(yīng)的電流值。與非門閃存器件的引腳連續(xù)性測試、漏電流測試和voh/vol測試都是用這種方法進(jìn)行的。

2)靜態(tài)電流測試(ICC1/ ICC2)、動態(tài)電流測試(ICC3)和時序參數(shù)測試(TACC，TOE)。

靜態(tài)電流測試不需要測試模式，動態(tài)電流測試需要測試模式。使用的電流捕捉功能分別是test_supply()和ac_test_supply()。需要注意的是，測試靜態(tài)電流時，器件的芯片選擇控制信號應(yīng)設(shè)置為vcc狀態(tài)，測試動態(tài)電流時，負(fù)載電流(ioh/iol)應(yīng)設(shè)置為0ma。

當(dāng)測試定時參數(shù)時，模式測試是必要的。采用逐次逼近法，控制信號的時序可以固定，數(shù)據(jù)選通的時序可以改變，以捕捉第一次數(shù)據(jù)輸出的時間；您也可以固定數(shù)據(jù)選通的時序，更改控制信號第一個有效沿的時間，并與數(shù)據(jù)選通的時序進(jìn)行差分運(yùn)算，以獲得器件的最快響應(yīng)時間。