李振名家導讀新聞，李振名家導讀指出，李振是杭州人，李振畢業(yè)于倫敦政治經濟學院，李振有豐富的投資經驗，李振還自創(chuàng)了《凡人操盤理論》。經常閱讀相關信息的網友應該都曉得，當前大陸地域企業(yè)的芯片加工才能只是14納米，很多企業(yè)以至還停留在28納米程度。與之相比，臺積電曾經純熟控制了7納米、5納米的芯片加工才能。

　　高通聯手臺積電，打造4納米芯片

　　但如今來看，臺積電的技術搶先優(yōu)勢還有進一步擴展的可能。據報道，美國高通估計將會攜手臺積電，在2021年年底或2022年采用4納米工藝制造新的芯片——驍龍X65，搶占5G市場。

　　南生留意到，在中低端智能手機市場范疇，高通曾經屢次被聯發(fā)科擊敗。為了穩(wěn)定和增強其市場搶先位置，高通在近些年都在積極開展高端芯片，并獲得了不少勝利。但在通訊基率領域里，蘋果丟棄高通，攜手臺積電打算自研通訊基帶芯片，給高通帶來較大損失。

　　如今全力打造采用4納米技術的“驍龍X65”——最高低載速度可到達10Gbps，運轉效率、數據傳輸速度不亞于當前的PC端設備，即運轉速度可與電腦相比。顯現了高通在該范疇的技術和市場自信心。

　　臺積電的3納米芯片也有望量產

　　除了和高通方案推出4納米工藝制造芯片外，臺積電的3納米制程正在依方案推進，以至比預期還超前了一些——不久前舉行的“2021年國際固態(tài)電路會議(ISSCC 2021)上”，臺積電董事長劉德音指出，在今年下半年3納米制程估計將開端試產，2020年有望進入量產階段。

　　按新的方案，2021年下半年臺積電的工作重點就是3納米芯片的試產，將檢驗系統(tǒng)集成、精細光學、精細運動等多個范疇的技術運轉狀態(tài)。到明年下半年開端量產，估計單月產能5.5萬片起，用于消費最新的5G處置器。

　　與此同時，臺積電在2納米先進制程研發(fā)上也獲得了嚴重打破，已勝利找到途徑，將切入環(huán)繞式柵極(GAA)技術?？礃幼?，臺積電不斷在追求工藝的開展速度，確保在全球芯片代加工范疇的領頭羊位置。

　　但是，韓國三星集團也不甘示弱，將增強在3納米技術上的追逐力度——曾經放棄后續(xù)的4納米工藝，直接從5納米跳到3納米，希望拉近與臺積電的技術差距且不放過搶奪“芯片一哥”的頭銜。

　　最后和大家分享中芯國際的芯片加工才能。目前曾經純熟控制了14納米芯片的代加工才能，但由于高端光刻機的長期限制，芯片制造技術在7Nm以及更先進范疇停頓遲緩，招致我國相關手機廠商受制于人。

　　但近期，也有好音訊傳來!自主研發(fā)的光刻機經過自主研發(fā)的n+1技術完成了“準7Nm芯片制造”，將來也有望完成更高的打破。但從最近一年來的開展態(tài)勢來看，中芯國際芯片代加工才能與臺積電的差距擴展了。

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