在談到如何選擇IGBT模塊之前，邊肖首先帶大家了解一下IGBT是什么。

IGBT被稱為絕緣柵雙極晶體管，所以它是一個(gè)具有金屬氧化物半導(dǎo)體柵極的BJT晶體管，可以簡(jiǎn)單地理解為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和BJT的結(jié)合。MOSFET主要由單載流子導(dǎo)通，而B(niǎo)JT由兩個(gè)載流子導(dǎo)通，所以BJT的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)比MOSFET大，但是MOSFET的控制級(jí)的柵極由場(chǎng)效應(yīng)反相控制，控制端沒(méi)有額外的功率損耗。因此，IGBT結(jié)合了場(chǎng)效應(yīng)晶體管和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它既有MOSFET的柵壓控制晶體管，又有BJT的雙載流子，達(dá)到大電流的目的。從而達(dá)到低驅(qū)動(dòng)功率和低飽和電壓的完美要求，廣泛應(yīng)用于交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引驅(qū)動(dòng)等600伏以上的變流器系統(tǒng)領(lǐng)域。

1.主電路拓?fù)湫枰贗GBT選擇之前確定，這與IGBT選擇密切相關(guān)。

2.選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)如下:

額定工作電流、過(guò)載系數(shù)和散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù)，額定工作電壓、電壓波動(dòng)和最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù)。領(lǐng)導(dǎo)模式和結(jié)構(gòu)也將對(duì)IGBT的選擇提出要求。

3.在選擇IGBT時(shí)，還應(yīng)該考慮IGBT的品牌和產(chǎn)地。目前市場(chǎng)上主流的IGBT產(chǎn)品都是進(jìn)口的，有英飛凌、三菱、富士、半導(dǎo)體等品牌。國(guó)內(nèi)IGBT在器件設(shè)計(jì)、工藝和制造技術(shù)，以及整個(gè)終端應(yīng)用解決方案上與國(guó)外品牌IGBT有明顯差距。

4.進(jìn)口IGBT在中國(guó)不同層次的分布，將在很大程度上影響IGBT的價(jià)格。因此，在購(gòu)買(mǎi)IGBT時(shí)，我們應(yīng)該盡量選擇像德意志工業(yè)這樣的頂級(jí)代理商。

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關(guān)鍵詞:IGBT模塊晶體管